功能薄膜与器件-力学性能-2012.11.28.pptVIP

(3)空位的消除：在薄膜中经常都含有许多晶格缺陷，其中的空位和空隙等缺陷经过热退火处理，原子在表面扩散时消灭这些缺陷可使体积发生收缩从而形成张应力性质的内应力。 (4)表面张力(表面能)和表面：层固体的表面张力(表面能)大约是102~103达因/厘米(尔格/厘米3)。内应力中的一部分可归结为这种表面张力。但是当全应力为104达因/厘米时，其内应力就不能作为表面张力考虑。在LiF薄膜形成的最初阶段它是岛状结构。这时的晶格间隔比块状材料宽一些。这样，表面张力是负值，小岛发生收缩。对于薄膜整体来说则形成张应力形式的内应力。 * * (5)表面张力和晶粒间界弛豫 在薄膜形成初期具有不连续结构的薄膜都是由孤立小岛或晶粒构成的。这些晶粒受基体附着力的作用不能随意移动，而且表面张力是压缩性的。它要向外扩展，于是显示一种压缩应力状态。随着晶粒的成长，晶粒间隔逐渐减小并达到接近晶格常数a的数量级。晶粒表面的原子与另一个晶粒表面的原子相互间受到引力作用，相对于两个晶粒的两个表面结合起来形成了一个晶粒间界。在晶粒结合时因表面能作用形成的压缩状态得到弛豫.晶粒再进一步长大便产生张应力。 (6)界面失配 当与基体晶格结构有较大差异的薄膜材料在这种基体上形成薄膜时，若两者之间相互作用较强，薄膜的晶格结构则变得接近基体的晶格结构。于是薄膜内部产生大的畸变而形成内应力。 * * (7)杂质效应 在薄膜形成时环境气氛对内应力有一定响应。一般是压缩应力的产生与残留气体有密切关系.残留气体作为一种杂质在薄膜中埋入愈多则愈易形成大的压应力。另外，由于晶粒间界扩散作用，即使在低温下也可产生杂质扩散从而形成压应力。 (8)原子、离子埋入效应 当用阴极溅射法制备薄膜时往往在薄膜中产生压应力。这种压应力一般是溅射薄膜中固有的应力。在阴极溅射过程中入射到薄膜上的溅射原子都有l0eV左右的能量。它比真空蒸发时的能量大约大1~2个数量级。因此在薄膜形成时可能形成空位或填隙原子等缺陷使薄膜体积增大。另外，在溅射过程中的加速离子或加速中性原子常以l02~ 104eV的能量冲击薄膜。它们除了作为杂质被薄膜捕获之外，薄膜表面原子也向内部移动埋入，导致薄膜体积增大，在薄膜中形成了压应力。由于上述原因产生的内应力称为原子、离子埋入效应。 * * 2、内应力的测量结果 薄膜内应力的测量方面大致可分为两种方法（一）测量晶格畸变（二）测量基体变形。 在测量晶格畸变时均采用X射线衍射法。 在测量基体变形时采用圆形基体或短条形基体。 在圆形基体时，因受薄膜的应力作用整个基体都均匀地变形。如果开始时基体是平面状，然后变成碗状并看作球面的一部分，测量球面曲率再计算出应力。这时可用牛顿环法、光截面显微镜法和触针法进行观察测量。 在短条形基体时，将基体一端因薄膜内应力作用产生的变位作为测量对象。其测量方法有直视法、光杠杆法、单缝衍射法、干涉计法、电微天平法和电容量法等。 测量结果的重要性在于它对我们研究薄膜的各种性能时提供一定的实验依据。 * * * * 真空蒸发Au膜全应力?与膜厚d的关系 真空蒸发Ag膜全应力?与膜厚d的关系 （1）真空蒸发Au、Ag薄膜全应力S与旗厚d的关系曲线。从实验结果中看到Au膜的全应力S比Ag膜大得多。在厚度较大的Ag薄膜中，真空度越好全应力S显得越大一些。可能是H20对全应力有一定影响。在Au膜中则出现与此相反的测量结果。当膜厚小于200?时，曲线上出现比较复杂的振荡现象，其原因目前尚不清楚。 （2）真空蒸发SiO介质膜中内应力与膜厚的关系曲线。从下图中看到在SiO薄膜中张应力和压应力都可能存在。究竟什么原因在起作用目前还解释不清。 * * * * （3）磁控溅射薄膜内应力σ与膜厚d的实验结果如下图所示。从图中曲线看出，大部分薄膜的内应力都是压应力。在曲线中没有注明放电气压和沉积速度的，都是在0.13Pa和10?/s条件下沉积的。 * * （4）薄膜内应力σ与薄膜材料熔点的关系曲线。薄膜厚度全为1000?。大体上的规律是:金属膜时，烙点越高则张应力越大。相反，在非金属膜时，熔点越高其压应力则越大。 总结 本节中我们仅研究附着性质和应力性质 从薄膜的附着类型、附着机理、附着性质的实验结果来讲解了薄膜的附着性质。 了解的应力的定义和产生的原因，并举例说明了应力测试的实验结果。 * * 功能薄膜与器件 ------薄膜的附着与力学性质 * *   薄膜的力学性质中包括：　附着性质、　　应力性质、　　　张力性质、　　　　　弹性性质　　　　　　机械强度等。在本节中我们仅研究附着性质和应力性质。 * * 一 附着性质 附着问题是制备薄膜时遇到的第一个问题。因为制备薄膜时首先考虑它是否能牢固地附着在基体上。否