半导体变流练习题.doc

《半导体变流技术》练习题 一、判断题 1、电力电子器件一般都工作在开关状态。 （ v ） 2、电力电子器件自身损耗包括通态损耗、断态损耗、开通损耗和关断损耗四种。（ v ） 3、电压驱动型的电力电子器件有电力MOSFET、电力晶体管。//电流驱动型（ x ） 4、全控型电力电子器件有电力二极管、电力晶体管、电力MOSFET管和IGBT。（ x ） 5、晶闸管的三个极分别为门极、阳极和阴极。 （ v ）//电流驱动型 6、IGBT的输出特性包含了截止区、有源区和非饱和区。（ x ）//正向阻断区（关断状态），有源区，饱和区（开通状态） 7、三相半波电阻性负载电流连续与断续的临界角为60度。//30度（ x ） 8、门极可关断晶闸管和电力晶体管是电压型驱动期间。//电流驱动型( x ) 9、只要门极有触发电流，晶闸管就能正常导通。 （ x ）//阳极加正向电压，门极有适当的触发信号 10、P-MOSFET管的特性曲线分为有源阻断区、饱和区和非饱和区。 （ x ）//非饱和区（导通状态），饱和区，截止区（关断状态）电压驱动型 11、单相半波可控整流电路电阻性负载输出直流平均电压。 （ x ）// 12、在整流电路中可能会发生失控现象的是单相半控桥整流电路电阻性负载。 （ x ）//阻感性负载 14、晶闸管一旦导通，门极就失去了其控制作用。（ v ） 14、在选取晶闸管的额定电流时通常按照有效值相等的原则选取。（ x ）//要有裕量 15、单结晶体管有电压随着电流增加反而下降的负阻特性。 （ v ）// 16、只要使得P-MOSFET的栅源极的电压为零或小于零就能使器件关断。( v ) 二、选择题 1、对于选用晶闸管时，下列哪个说法是正确的（D） （A）晶闸管所承受正反向峰值电压中较小的2~3倍 （B）晶闸管所承受正反向峰值电压中较大的2~3倍 （C）断态重复峰值电压与反向重复峰值电压较大的2~3倍 （D）断态重复峰值电压与反向重复峰值电压较小的2~3倍 2、关于电力晶体管输出特性的三个区，哪种说法是正确的（C） （A）截止区、饱和区和非饱和区 （B）正向阻断区、有源区和饱和区 （C）截止区、放大区和饱和区 （D）正向阻断区、饱和区和非饱和区 3、晶闸管KP300—10G的额定电流是(C) （A）10A （B）1000A （C）300A （D）30A 4、晶闸管的额定电流是指(A) （A）流经晶闸管的电流平均值 （B）流经晶闸管的电流有效值 （C）流经负载的电流平均值 （D）流经负载的电流有效值 5、触发电压（脉冲）加在晶闸管的哪两极之间(B) （A）阳极、门极 （B）阴极、门极 （C）控制极、门极 （D）阴极、阳极 6、单相半波可控整流电路电阻性负载时晶闸管承受的最大正反向峰值电压为(A) （A）U2 （B）2U2 （C）U2 （D）U2 7、下面的四个选项中哪一种情况有可能发生整流失控现象(C) （A）单相半控桥电阻性负载不加续流管 （B）单相全控桥电感性负载不加续流管 （C）单相半控桥电感性负载不加续流管 （D）单相全控桥电阻性负载不加续流管 8、三相半波可控整流电路电阻性负载时移相范围为(B) （A）180o （B）150o （C）120o （D）90o 9、三相半波可控整流电路电阻性负载时晶闸管承受的最大反向峰值电压为(D) （A）U2Ф （B）2U2Ф （C）U2Ф （D）U2Ф 10、关于IGBT特性曲线的三个区，哪种说法是正确的（B ） （A）截止区、饱和区和非饱和区 （B）正向阻断区、有源区和饱和区 （C）截止区、放大区和饱和区 （D）正向阻断区、饱和区和非饱和区 11、触发电压（脉冲）加在电力晶体管的哪两极之间( )//基极和发射极 （A）集电极、门极（B）发射极、门极（C）控制极、基极（D）集电极、发射极 12、电流有效值与电流平均值之比称为 (D)Kf=有效值/平均值=1.57 （A）负载系数 （B）电流系数 （C）波纹系数 （D）波形系数 13、单相半控桥整流电路电阻性负载移相范围为(D ) （A）90o （B）120o （C）150o （D）180o 14、单相全控桥电阻性负载晶闸管所承受的正反向峰值电压分别为（C ） （A）， （B）， （C）， （D）， 15、单相全控桥电阻性负载控制角移相范围是（D） （A）90o （B）120o