南理工模电课件4-2.ppt

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南理工模电课件4-2

主要内容链接 4.4 场效应管放大电路 1. FET的直流偏置电路及静态分析 2. FET放大电路的动态分析 4.4 场效应管放大电路 FET和BJT一样,工作时要有合适的静态工作点。根据FET的输出特性,电路应给FET提供合适的VGS 和VDS才会有合适的静态工作点。 静态分析 直流偏压VGS不是靠电压源提供,而是由源极电阻R上的直流压降提供,称为自偏压电路。 该电路只适用于耗尽型FET,而且静态工作点调节不方便。 (2) 分压器式自偏压电路 2. FET放大电路的动态分析 (1) FET的交流小信号模型 小信号模型的简化 (2) 用小信号模型分析FET放大电路 (a) 共源放大电路 共源电路属于反相(倒相)电压放大器,其增益较大,输入电阻较高,输出电阻由Rd决定 (b) 共漏放大电路(源极输出器) 共漏电路又称源极输出器,其输出电压和输入电压同相,电压增益接近1,输入电阻高,输出电阻小。 共栅极和共源极连接示意图 例 题 1 判断下列电路能否正常工作。 例 题 2 在如图所示的放大电路中已知VDD=20V, VGSQ=-2V,管子参数IDSS=4mA, VP=-4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。(1)求电阻R1和静态电流IDQ(191页,4.4.3) 在如图所示的放大电路中已知VDD=20V, VGSQ=-2V,管子参数IDSS=4mA, VP=-4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。 (2)求正常放大条件下R2可能的最大值 (3) 设rd可忽略,在上述条件下计算AV和Ro 作 业 192页:4.4.5,4.4.6 * * 1. FET的直流偏置电路及静态分析 (1) 自偏压电路 对FET进行静态分析时,将栅极g和沟道之间视为断路处理 耗尽型、增强型FET均适用;而且静态工作点可通过调节Rg1、 Rg2和R确定,比较方便 rgs:栅极和源极间的电阻,极大,常作开路处理 gm:低频互导(跨导) rd:交流输出电阻,比较大,常作开路处理 不能,因为VGS0 能 N沟道JFET VDS0 VGS≤0 P沟道耗尽型MOSFET VDS0 不能,因为VGS=0,没有导电沟道 不能,因为VDS0 N沟道增强型MOSJFET VDS0 VGS0 N沟道耗尽型MOSJFET VDS0

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