模电第一讲和第二讲讲稿.docVIP

第一讲 课程概述 1、名称：模拟电子技术 2、学时：授课56学时，3.5学分，必修，考试，平时成绩占30%。 实验24学时，1学分，独立设课，必修，考查。 3、教材：《模拟电子技术基础》，童诗白主编。 4、授课教师：刘刚、信控学院电气工程系3-125实验室。 5、课程属性：专业基础课。本课程在专业基础课中的位置如下所示： 电路理论→1）电工技术：能量传输、变换电路的分析和设计； （基础） 2）模拟电子技术：连续信号产生、放大和处理电路的分析和设计； 3）数字电子技术：逻辑信号发生和逻辑处理电路的分析和设计；附加：电子设计自动化（EDA）技术（高速可编程逻辑芯片的程序设计）。 4）单片机技术：单片机电路和程序的分析和设计。仅对电气自动化开设了“电子系统设计基础”公共选修课，内容：MSP430系列单片机使用方法，想参加实践活动的同学可选。 以上后四门课程构成电子系统设计基础，在此基础上 → 专业课； 电子竞赛和电子制作。 6、课程内容：“模拟电子技术”解释： 模拟：连续变化信号； 电子：固态电子元件构成的电子线路； 技术：解决问题的方法和手段。 模拟电子技术—分析、设计处理连续变化信号的电子线路。 7、学习要点：“件、路、调” 件：掌握二极管、三极管、运算放大器等电子元件特性和使用方法； 路：掌握放大、整流和滤波等基本电路的分析、设计方法； 调：电子线路由非线性元件构成，分析和设计都是在理想模型下进行，与实际元件构成电路存在较大误差，必须经过实验调整、验证。 8、课程特点：实践性强，对动手能力和实验能力要求高，实验内容占期末考试内容比重大。 第1章 常用半导体器件 1.1半导体基础知识 1.1.1本征半导体 一、半导体材料：导电能力介于导体和绝缘体之间的物体，如硅（Si）、锗（Ge）等。其共价键结构图如图1-2所示。 图1-2共价键结构图 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，导电能力低于导体；受外因激励束缚电子可脱离共价键成为自由电子，绝缘能力低于绝缘体。 二、本征半导体：四价元素硅或锗的纯净晶体。因此本征半导体中的自由电子很少，导电能力很弱。 本征半导体导电机理：在常温下，由于热激发，使很少的一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。因此，形成了半导体中的两种载流子： 1）自由电子：被激发出的外层共价电子，带负电，由负极到正极。 2）空穴：电子移走后留下的空位，带正电，由正极到负极。 温度越高，产生载流子越多，导电性越好，半导体器件受温度影响大。 1.1.2杂质半导体 一、N型半导体：在本征半导体中掺入某些五价元素，就会使半导体的自由电子增加（电子是多子）。导电性能发生显著变化。掺入5价元素结构图如图1-3所示。 图1-3掺入5价元素结构图 图1-4掺入3价元素结构图 二、P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素，就会使半导体的空穴增加（空穴是多子）。掺入3价元素结构图如图1-4所示。 1.1.3 PN结 一、 PN结的形成 将P型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起，形成P型半导体和N型半导体之间的特殊薄层叫做PN结。 P型半导体与N型半导体交界面载流子的漂移与扩散示意图如图1-5所示。扩散和漂移这一相反的运动最后达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 图1-5载流子的漂移与扩散示意图 PN结结构及符号图如图1-6所示。 图1-6 PN结结构及符号图 二、PN结的单向导电性 PN结是各种半导体器件的核心，PN结具有单向导电特性。即： 正向偏置：P区接电源正极，N区接电源负极，PN结导通，如图1-7所示； 图1-7 PN结正向导通示意图 1-8 PN结反向截止示意图 反向偏置：P区接电源负极，N区接电源正极，PN结截止（不导电），如图1-8所示。 三、PN结伏安特性如图1-9所示。 图1-9 PN结伏安特性 1.2半导体二极管 二极管=PN结+引线+外壳，是有极性元件。 晶体二极管具有单向导电性，其原因是内部具有PN结。二极管的正、负极对应接于PN结的P型和N型半导体。 符号：二极管符号如图2-1所示。 图2-1二极管符号 1.2.1 二极管的结构 几种常见结构图如教材18页图1.2.2所示。 结构： a. 点接触：PN结电容小，用于高频，小电流。 b. 面接触：PN结电容大，用于低频，大电流。 1.2.2 二极管的伏安（V-I）特性 二极管两端的电压和电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性，如图2-