静电干粉涂搪是二十世纪七十年代到八十年代发民起来的一种新型涂搪工艺.docVIP

静电干粉涂搪是二十世纪七十年代到八十年代发民起来的一种新型涂搪工艺，它象征着搪瓷工业的技术进步，代表着搪瓷工业的发展方向。静电干粉涂搪的优点是： 节省工序，节省能源，无需干燥。 可实现两面三刀搪一烧工艺即（底釉面釉颁奖喷搪、一次烧成）。 资源利用率高，粉末通过回收，利用率可高达98%以上 无废水废气产生 瓷釉质量优良，瓷面均匀，厚薄一致。 自动化操作，省工省力，文明化生产 静电干法涂搪的不足之处是： 不适合小批量多品种的生产，特别是对不同颜色品种的更换特别困难。 涂层自身强度较差，运输过程要轻拿轻放 不适合形状复杂的产品或曲率半径过小的产品，这类产品如一定要采用静电干粉涂搪，必须增加补喷装置（或人工补喷） 粉末及喷涂质量受环境的影响较大，当环境湿度、温度变化时，稳定性时，稳定性遭到破坏。 一次性设备投资大，瓷粉较湿法瓷釉成本高 静电干粉涂搪的工作原理如下：坯体接地带正电，喷枪内高压静电发生8—10万伏的负电压，产生电晕放电现象，使周围空气电离，而带上负电荷，当瓷釉粉末从喷枪出后，即带上了负电，在静电的作用下，向正极坯体移动，并沉积在坯体上形成涂层。 静电干粉涂搪质量的优劣与静电干粉的理化性能特别是带电性能有很大的关系。本文就静电干法涂搪用粉（以下简称静电干粉）的制备方法，理化性能以及工艺参数对静电干粉质量的影响作一简要论述。 2、普通搪瓷瓷釉与静电干粉的区别 普通搪瓷瓷釉在使用时是借助粘土和电介质的作用使瓷釉先研磨顾釉浆，或先磨成粉再加水调制成釉浆后再涂搪到坯体上，而静电干粉瓷釉不需要任何添加物，是靠静电的吸附作用而完成涂搪的，由此可见两者的主要区别在于瓷粉的电性能上。更具体地讲，普能瓷釉的电阻率低，而静电干粉的电阻率则很高。普通低温瓷釉的电阻率仅为105—107cm，高温瓷釉的电阻率最多也不过1010左右，而静电干汾的电阻率高达1013—1014以上。由于普通瓷釉的电阻率低，当它从喷枪中喷出能过电离了的空气时，虽然也能带上一定量的负电荷，但沉积到坯体上后很快就会失去电荷，从坯体上滑落花流水下来不能形成连续完整的涂层，而且这种涂层不易受到环境温度和湿度的影响。普通瓷釉在大气中的稳定性很差，这点可以从普通瓷釉与静电干粉电阻率随时间的变化曲线（如图1所示）看出。 从图1 中看出普通瓷釉在静电喷涂后一小时电阻率迅速下降，而静电干粉在一段相当长的时间内电阻率一直保持不变。因此普通瓷釉不能用于静电干粉喷涂，必须对其进行绝缘化处理，当其电阻率达到相当高的数值后，才能用于静电干粉涂搪。 从瓷釉的化学组成上看，尽管普通瓷釉和静电干粉瓷釉的配方组成大体相同，但熔剂的组成结构却差别较大。普通搪瓷釉中，作为熔剂的K2O、NaO、Li2O的会计师较高，而静电干粉中K+、Na+、Li+的含量不宜过高，否则将影响到它的电阻率和带电性能。为了弥补K+、Na+、Li+的不足而导致的熔剂量的不足。配方中往往增加B2O3的含量，因此静电干粉瓷釉组成中硼的含量较高。其次，静电干粉瓷釉，从带电性的角度考虑要求有较高的介电常数，所以配方组成中有时会加入一些增加介电常数的氧化物。 3静电干粉的制备 静电干粉的制备分两步进行：即瓷釉的制备和瓷釉的包裹。 3．1瓷釉的制备 静电干粉的制备与普通瓷釉的制备相同，具体工艺如下： 配方设计----配方计算----配料----混合-----熔制-----造粒（或轧片） 瓷釉熔制后有两种造粒方法，一种是水淬法造粒，另一种是机器轧片法。 轧片法更能保证瓷釉成份的均一性，同时使用权进不需要烘干革命，节省能源，更适合用做静电干粉的制备。 3．2绝缘处理（瓷釉的包裹） 如前所述，普通瓷釉，由于电阻率低，不能用做静电干粉涂搪，必须对其进行绝缘处理。所谓绝缘处理就是一种电阻率相当高的有机材料均匀地包裹在瓷釉粒子的周围，提高瓷釉的电阻率和流动性，使其达到静电干粉涂搪的要求，因此绝缘处理俗称包裹处理。一般用有机高分子聚合物，如。它是由卤代硅烷或甲基硅烷化合物水解而制得的。硅氧烷中又以含氢弹甲基硅氧烷最佳。一般作为静电干粉包裹剂使用的材料必须满足如下的条件：必须有相当高的电阻率，有比较小的表面张力，能很好的铺展在瓷粉的周围；烧成时能充分分解逸出，不给瓷面带来任何负面的影响；能提高静电干粉的流动性，便于喷涂的粉的回收；性能受环境的影响不明显，在大气中能存放较长时间，性能不变。含氢早基硅氧烷能很好的满足这些要求，它的分子结构是： 瓷釉中加入含氢甲基硅氧烷进行包裹时，瓷釉颗粒表面的羟基（OH）与含氢甲基硅氧烷中的H离子产生化学反应，形成憎水性的有机胶体膜。胶体膜的产生不仅大大提高了瓷釉的电阻率，而且也有效地改善了瓷粉的流动性、开裂性、凝聚性和储藏性。 静电干粉瓷釉的包裹工艺如下： 瓷釉----预粉碎----添加包裹剂----包裹-----烘干-----封装