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第六章 光刻技术 光刻的光源 光刻的光源 一些重要的UV波长 高压汞灯 电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电。这个电弧发射出一些特征光谱,包括240nm到500nm之间有用的紫外辐射。 准分子激光 准分子是不稳定分子，由惰性气体原子和卤素构成。例如氟化氙(ArF),这种分子只存在于准稳定激发态。 光刻胶的物理特性 分辨率 对比度 敏感性 粘滞性 粘附性 抗蚀性 表面张力 光刻胶的对比度 光刻胶的表面张力 光刻胶的组成 正光刻胶 受光辐射后聚合物发生变化，被辐射部分溶解，未被辐射部分保持不变。 正性I线光刻胶是IC中最常用的光刻胶。 树脂材料是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，是一种长链聚合物，它形成光刻胶膜的良好粘附性和化学抗蚀性。当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中。 感光剂是光敏化合物（PAC），最常见的是DNQ:重氮萘醌。在曝光前，DNQ是一种强力的溶解抑制剂，降低溶解速率。当用紫外曝光之后，DNQ产生羧酸，提高显影液中的溶解度因子到100甚至更高。它是从设计蓝图所用的材料中进化而来的。 负光刻胶 聚合物被辐射后不溶于显影剂，精度逊于正胶。 负性I线光刻胶的树脂通常是一种化学的惰性聚异戊二烯聚合物，这是一种天然橡胶。聚异戊二烯聚合物悬浮在溶剂，如二甲苯中。 光刻胶的感光剂是一种经过合适波长的紫外曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。 传统负胶的缺点是在显影时曝光区域由于溶剂引起的泡胀，从而使得光刻胶图形发生变形。另一缺点是曝光时光刻胶可与氮气发生反应从而抑制其交联。 正光刻胶优点 曝光 接近式曝光的分辨率 数值孔径 透镜收集衍射光的能力被称为透镜的数值孔径（NA)。对于一个给定的透镜，NA测量透镜能够接收多少衍射光，并且通过把这些衍射光汇聚到一点成像。 NA=n?sin?m ? n透镜的半径/透镜的焦长 ?m=主光轴和透镜边缘线的夹角 可以通过增加透镜半径来增加数值孔径，但会使光学系统复杂 光掩膜版和投影掩膜版 曝光后烘培（PEB) 对于常规DNQ酚醛树脂I线光刻胶，PEB是常规作业。它可以减少光刻胶中的剩余溶剂，从曝光前的7%～45%减少到5%～2%。 PEB的最大好处是减少曝光过程中的驻波缺陷。 显影 -负胶，几乎不需要化学反应，主要包括未曝光的光刻胶的溶剂清洗。可用有机溶剂如二甲苯。 主要问题为交联光刻胶在清洗过程中吸收显影液而膨胀变形。传统的负胶不适合2微米以下的图形。 -正胶，显影包括显影液和光刻胶之间的化学反应。 早期用水稀释的强碱溶液，如氢氧化钠，现在用四甲基氢氧化铵（TMAH)。 4:1 Reticle 投影掩模版 1:1 Mask 掩模版的种类 – 超微粒干版 在玻璃基片上均匀涂敷一层以明胶为分散介质，含有极细感光材料的乳胶层构成。 价格低，但是耐磨性差，针孔也多。 – 铬版 金属铬膜与玻璃有很强的粘附性，而且铬质地坚硬，耐磨 铬膜光密度大，0.08微米相当于4微米的乳胶膜 铬的化学稳定性好 – 彩色版（Fe2O3 氧化铁版） ? 掩模版的大小 – 4” x 4” x 0.060” for 3-inch wafers – 5” x 5” x 0.060” for 4-inch wafers 掩模版的制作（1） 刻图缩微制版技术：从印刷工业中的印刷制版技术移植到微电子工艺技术中来的。 首先需要根据半导体器件或集成电路电学参数的要求、工艺条件和精度的要求确定适当的放大倍率来绘制掩模原图。 然后利用缩微照相技术或图形发生系统制作掩模原版，亦称中间掩模版。 为了能在同一个硅片上同时制作多个电路芯片而且又便于切割成单个芯片，中间掩模版的图形还要用具有分步重复功能的精密缩小照相机进一步缩小到实际芯片尺寸。同时，让同一图形在纵横两个方向按一定的间距重复曝光，制成含有芯片图形阵列的母掩模版。最后复印出供给生产上光刻工艺使用的工作掩模版。 掩模版的制作（2） 计算机辅助设计光学图形发生器制版技术系统：随着半导体器件、集成电路、大规模集成电路制作技术的发展，研制成功计算机辅助制版系统和由它控制的自动制图机、光学图形发生器等高精度自动制版设备，以及激光图形发生器、电子束图形发生器等新的制版设备，形成了半导体工艺技术中所特有的高精度光掩模制作技术体系。尤其是电子束图形发生器，具有很高的分辨率和高速扫描成像系统，不但可用于制作中间掩模版，而且还能取代分步重复设备直接制作出含有芯片阵列图形的母掩模版或工作掩模版。然后，再利用各种光刻设