述职报告培训分析.ppt

离子注入工程培训教材ion implantation 培训对象 时间地点 什么是离子注入？ 将某种元素的原子经离化变成带电的离子 在强电场中加速，获得较高的动能后， 射入材料表层（靶） 以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入的优点 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过控制掺杂 剂量(1011-1016cm-2)和能量(10-200KeV)来达到 横向分布非常均匀 如1%左右，扩散5％左右 表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 注入元素可以非常纯，杂质单一性 可用多种材料作掩膜(如金属、光刻胶、介质.)，可防止沾污，自由度大。 低温过程（因此可以用光刻胶作为掩膜），避免了高温过程引起的热扩散。（室温） 离子注入的局限性 会产生缺陷，甚至非晶层，必须经高温退火加以改进 产量较小 设备复杂 有不安全因素(如高压、有毒气体等) 离子注入系统 离子注入机是很复杂的设备，可以说是集成电路制造业中最复杂的设备之一。 离子注入设备可以根据它能提供的束流和能量的大小，可分为大束流与中束流注入机，高（百万电子伏特）中（介与五千与二十五万电子伏特之间）低（低与五千电子伏特）能量注入机。一般来说在高和低能量范围内，离子束流的大 接上面的内容 小属于中（小于2号安培）低（小与500微安培）的注入机，尽管离子注入机的种类很多，但其基本框架和结构是相似的，下面我们就来看一下我们的注入机，我以中束流的NH-20S（201/202）为例，讲一下注入机的基本结构。 离子注入机（NH-20S）结构图 从离子源引出的离子经过加速管加速电位的加速使离子获得很高的能量，而后进入磁分析器使离子纯化，分析后的离子可再加速以提高离子的能量，再经过两维偏转扫描器使离子束均匀的注入到材料表面，用电荷积分仪可精确的测量注入离子的数量，调节注入离子的能量可精确的控制离子的注入深度。 离子注入系统的组成 离子源 （Ion Source) 源磁场（magent） 磁分析器 (Magnetic analyzer) 加速管 （Accelerator) 聚焦和扫描系统 (Focus and Scan system) 靶室和后台处理系统(Target Assembly) 第一部分离子源（ion source） 一说起离子源，我们就会注意到一个“源”字，万物基于一个“源”字,离子注入机也一样。现在的集成电路制造中，为了操作方便， 一般采用气体源，如 BF3, BCl3, PH3, ASH3等如用固体或液体做源材料，一般先加热，得到它们的蒸汽，再导入放电区。现在我们用的都是气体源，方便省事。最常用的有BF3, PH3, ASH3 还有Ar（氩气），氩气有 两种离子源对比 第二部分源磁 源磁位于离子源处，一个电磁线圈，主要作用就是给离子源内的离子增加磁场，使离子间充分碰撞，产生更多的离子，也就使增加离化率。 第三部分磁分析器 磁分析器(magnet analyzer) 利用不同荷质比的离子在磁场下运动轨迹的不同将离子分离，选出所需的杂质离子。被选离子束通过可变狭缝，进入加速管。 第四部分加速管(Acceleration tube) 离子在静电场作用下加速到所需的能量。在加速管的入口和出口之间设置电位差（0－200Kev）对离子进行加速。 第五部分聚焦和扫描系统 (deflection and scanning ) 离子束离开加速管后进入控制区，先由静电聚焦透镜使其聚焦。再进行x-y两个方向扫描，然后进入偏转系统，束流被偏转注到靶上。就是我们控制面板上的Qlens，俗称四极透镜，在四个电极上家电压，调整束流(balance和trim)。X和Y扫描极板（X,Y-SCAN）在扫描电极上加三角波电压，使离子束进行X和Y扫描，在硅片上均匀的打入离子。 偏折板 中性粒子，不会受电场的作用而改变路径。但是在注入时，中性粒子并无法被去除和检测到，这样就影响离子束的质量，所以我们必須避免让其注入硅片中。系统上，以一静电偏折板，来改变离子的路径。 第六部分靶室和后台处理系统(Target Assembly) 靶室和后台处理系统 (Target Assembly) 包括测量电荷的法拉第杯 (Faraday’s cup)，全自动装片和卸片机构，以及控制电流和总电量 。这部分即进行离子注入的位置，在此处进行处理的制品有叶片式处理（一片一片的注入，要求20秒以上 指中束流注入机）和批处理（在圆盘上放13片，要求在10分钟以上指大束流注入机） II工程