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APD光电二极管综合实验仪 GCAPD-B 实 验 指 导 书 (V1.0) 武汉光驰科技有限公司 WUHAN GUANGCHI TECHNOLOGY CO.,LTD 目 录 第一章 APD光电二极管综合实验仪说明 - 3 - 1、电子电路部分结构分布 - 3 - 2、光通路组件 - 4 - 第二章 APD光电二极管特性测试 - 5 - 1、APD光电二极管暗电流测试 - 7 - 2、APD光电二极管光电流测试 - 8 - 3、APD光电二极管伏安特性 - 8 - 4、APD光电二极管雪崩电压测试 - 9 - 5、APD光电二极管光照特性 - 9 - 6、APD光电二极管时间响应特性测试 - 10 - 7、APD光电二极管光谱特性测试 - 10 - APD光电二极管综合实验仪说明 一、产品介绍 雪崩光电二极管的特点是高速响应性和放大功能。雪崩光电二极管(APD)的基片材料可采用硅和锗等材料。其结构是在n型基片上制作p层，然后在配置上p+层。一般上部的电极制作成环状，这是考虑到能获得稳定的“雪崩”效应。外来的光线通过薄的p+层，然后被p层吸收，从而产生了电子和空穴。由于在p层上存在着105V/cm的电场，因此位于价带的电子被冲击离子化后，产生雪崩倍增效应，电子和空穴不断产生。 这种元件可以用作0.8m范围的光纤通信的受光装置和光磁盘的受光期间还，能够有效地处理微弱光线的问题