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半导体 电力电子器件的分类 电流驱动型 ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 电压驱动型 ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 电力电子器件的分类 PN结与电力二极管的工作原理 PN结与电力二极管的工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看,主要有螺栓型和平板型两种封装。 在指定温度下,流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 3) 反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时,应当留有两倍的裕量。 4)反向恢复时间trr trr= td+ tf 结温是指管芯PN结的平均温度,用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 6) 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 半控器件—晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 半控器件—晶闸管·发展史 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术发展和应用的崭新时代。 20世纪80年代以来,开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高,工作可靠,在大容量的场合具有重要地位。 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 晶闸管的结构与工作原理 常用晶闸管的结构 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中,称为光控晶闸管(Light Triggered Thyristor——LTT)。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 晶闸管的基本特性 承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。 承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 晶闸管的基本特性 (1)正向特性 IG=0时,器件两端施加正向电压,只有很小的正向漏电流,为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大,器件开通。 随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小,在1V左右。 晶闸管的基本特性 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时,只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后,可能导致晶闸管发热损坏。 晶闸管的基本特性 1) 开通过程 延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间tgt以上两者之和, tgt=td+ tr (1-6) 晶闸管的主要参数 断态重复峰值电压UDRM ——在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压URRM ——在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压。 通态(峰值)电压UT ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 晶闸管的主要参数 通态平均电流 IT(AV) ——在环境温度为40?C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 擎住电流 IL ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后, 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2~4倍。 浪涌电流ITSM ——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。 晶闸管的主要参数 除开通时间tgt和关断时间tq外,还有: 断态电压临界上升率du/dt ——指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。 ——电压上升率过大,使充电电流足够大,就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率di/dt ——指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 —
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