第十四次 CVD.ppt

薄膜材料的应用 表面改性：在保证块体材料固有特性(如力学强度等)的优点基础上，仅对表面进行加工处理，使其产生新的物理、化学特性以及所需要功能的各种方法。 表面改性的手段 表面处理技术(形成表面改性层)：通过物理的或化学的手段，在物质表面层中引入反应成分，形成混合相或合成相，从而产生新的功能和材料特性。 膜沉积技术(形成复合多层膜)：在集体材料表面析出或沉积有别于基体材料的膜层，从而显示新的功能和材料特性。 表面改性的应用 * * 3.2.4 化学气相沉积（CVD） 物理气相沉积（physical vapor deposition，PVD）：利用物质的物理变化（固态→气态→薄膜）而成膜（真空蒸镀，各种离子镀，各种溅射等） 活性反应蒸镀、反应溅射 化学气相沉积（chemical vapor deposition，CVD）：利用高温空间（也包括在基板上）以及活性化空间中发生的化学反应而成膜。 通常反应后的能量低于反应前的能量 需要对反应系统输入反应活化能 ARE（活性反应蒸镀） 在离子镀过程中，在真空室内通入与金属蒸汽反应的气体（O2，N2，C2H2,CH4），获得化合物蒸镀层 热氧化（氮化、碳化）：使要形成薄膜的材料（在半导体产业中多为硅单晶）与空间气氛发生反应，在其表面形成该物质的氧化物或氮化物膜层。如半导体集成电路制作技术中的绝缘膜 高温 要求膜层致密，电气特性（绝缘强度、长时间的稳定性、膜厚均匀等）优良，故所用气体纯度要高 硅圆片是制作集成电路的载体，直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低，通过氧化生成SiO2绝缘层 一、热氧化、氮化 1、反应方式 2、热氧化装置 硅圆片的热氧化包括横型装置和纵型装置，尤其后者的膜层膜厚、膜质均匀、稳定，利于超精细电路图形的制作。 热氧化装置的供气方式： 水蒸气热氧化装置 湿式热氧化装置 干湿热氧化装置 高压热氧化装置 稀薄氧热氧化装置 3、其他氧化装置 等离子体氧化装置： 利用等离子体，在低温（600℃左右）进行氧化的装置。如图12-2a所示的石英反应管，按图8-42所示的方式布置电极或线圈，在石英管中施加高频电场，使内部发生高密度等离子体，依靠等离子体的活性促进低温下的氧化。 4、氮化、碳化表面改性 表面氮化： 针对中碳低合金钢、氮化钢等，其中添加与氮化学亲和力大的Cu、Al等元素而易于氮化。工件经热处理后，在NH3中500℃保温，使氮在表面扩散渗透，完成氮化，使钢的表面强化。 离子氮化 在数百帕气压下，以工件为阴极，产生辉光放电。氮离子轰击工件表面，在使工件表面温度升高的同时，在工件表面层中扩散，使表面发生氮化，达到表面强化的目的。 碳化（渗碳） 针对合金钢，其中添加有Cr、Ni、Mo等与碳的化学亲和力强的合金元素，将工件置于CO及CH3等气氛中，在1000℃保温，碳自工件表面向内部扩散，在离表面大约1mm的范围内形成渗碳层，由此达到表面强化的目的。 热CVD：利用挥发性的金属卤化物和金属的有机化合物等，在高温下发生气相化学反应（热分解、氢还原、氧化、置换反应等），在基板上沉积所需要的氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属，金属、半导体薄膜。 台阶涂敷性好（在深孔的孔壁和孔底均可成膜），且可保证各处膜层性能的一致性。 膜层致密且纯度高 成膜的范围广 附着强度高 二、热CVD 1、主要的生成反应 2、热CVD的特征 如图12-6所示，反应过程中以气体形式提供构成薄膜的原料，反应尾气由抽气系统排出。通过热能（辐射、传导、感应加热等）除加热基板到适当的温度之外，还对气体分子进行激发、分解，促进其反应。分解生成物或反应产物沉积在基板表面形成薄膜 图12-7是由TiCl4、CH4、H2等混合气体通过CVD反应沉积法在硬质合金表面析出TiC过程的示意图。其反应方程为： TiCl4(气)+CH4(气)　　　　　　　　　　　TiC(固)+4HCl(气) H2 CVD成膜有下面几个过程： 反应气体被基体表面吸附 反应气体向基体表面扩散 在基体表面发生反应 气体副产品通过基体表面由内向外扩散而脱离表面 实际上，除反应气体参与反应之外，从硬质合金基体中扩散出来的碳也参与了反应。硬质合金基体和反应气体交界面上存在一个薄的扩散层，反应气体氢、四氯化钛、甲烷等在基体表面的扩散层中发生反应，形成Ti-C键并加入到已形成的晶格中。反应副产品HCl等气体从膜表面反扩散到气相，作为废气被排除反应器。TiC形核以后，晶粒生长，如果基体表面成核率高，就得到柱状结构的多晶薄膜。 常压CVD(NP(normal pressure)CVD) 减压CVD(LP(low pressure)CVD) 压力为10-103Pa，反应气体及载体气体的平均自由程和扩散系数变大，基片表面的膜厚分布及电阻率等特性参数