7化学气相淀积课件.pptVIP

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* Poly-Si掺杂 扩散掺杂----温度900~1000℃ N型掺杂剂:POCl5, PH3等含磷气体 优势:1.在多晶硅膜中掺入杂质浓度很高,可以超过固溶度----可得较低电阻率;2.一步完成掺杂和退火两个工艺; 缺点:工艺温度高,薄膜表面粗糙度增加 离子注入----优点:杂质数量精确可控,也可适用低掺杂薄膜制备。 电阻率为扩散掺杂法制备薄膜10倍 合适的注入能量可使杂质浓度峰值处于薄膜中间;用快速热退火(RTP) 在1150℃下不到30秒完成杂质再分布和激活。 原位掺杂----一步完成薄膜淀积和掺杂工艺;方法简单,未广泛应用 * 实际 CVD 氮化硅 二氧化硅 * 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 难溶金属钨(W),钼(Mo),钽(Ta),钛(Ti)在IC中被用作互连系统,一般用CVD方法淀积。 W的主要用途 1.作填充----W插塞plug 2.作局部互联材料----W的电导率低,只用作短程互连线 W的优势 体电阻率较小7-12μ?.cm;较高的热稳定性;较低的应力;良好的抗电迁移能力和抗腐蚀性。 * CVD W 工艺 源----WF6; WCl6; W(CO)6 WF6与硅,H2,硅烷还原反应生成W----300℃ 10-15nm自停止。 2WF6 (g)+3Si(s)?2W(s)+3SiF4(s) 低于450℃ WF6与H2淀积W工艺 WF6(g)+H2(g)?2W(s)+HF(g) 选择性淀积----良好的成核表面 非选择性淀积---- 存在问题----横向扩展,空洞的形成,选择性等问题未解决 * * 7.7.2 金属化合物的化学气相淀积 在多晶硅/难熔金属硅化物(polycide)多层栅结构中应用的金属硅化物,如WSix、TaSi和MoSi2等; 在金属多层互连系统中的附着层和(或)扩散阻挡层的氮化物,如TiN等。 * 7.7.3 CVD金属及金属化合物的进展 CVD-Cu CVD-Al * 7.8 薄膜检测 薄膜质量 外观镜检 X射线衍射了解薄膜结构,晶粒大小 粘接牢固度 薄膜厚度 (透明薄膜;非透明薄膜) 实时测量:石英振荡器,质谱仪,微秤 成膜后测量:光学方法,探针方法 * 本章重点 CVD工艺过程,模型 APCVD、LPCVD、PECVD比较 多晶硅薄膜特点、用途、制备工艺 CVD SiO2(PSG、BPSG)特点、用途、制备工艺 氮化硅薄膜与SiO2比较,特点、用途、制备工艺 * * 當薄膜沉積在基板以後,薄膜處於應變的狀態,若以薄膜應力造成基板彎曲形變的方向來區分,可將應力分為張應力 (tensile stress) 與壓應力 (compressive stress),如圖一所示。張應力是當膜施力向外伸張,基板向內壓縮、膜表面下凹,薄膜因為有張應力的作用,薄膜本身產生收縮的趨勢,如果膜層的張應力超過薄膜的彈性限度,則薄膜就會破裂甚至剝離基板而翹起。壓應力則呈相反的狀況,膜表面產生外凸的現象,在壓應力的作用下,薄膜有向表面擴張的趨勢。相同的如果壓應力到極限時,則會使薄膜向基板內側捲曲,導致膜層起水泡。數學上表示方法為張應力—正號、壓應力—負號。 造成薄膜應力的主要來源有外應力 (external stress)、熱應力 (thermal stress) 及內應力 (intrinsic stress),其中,外應力是由外力作用施加於薄膜所引起的;熱應力是因為基板與膜的熱膨脹係數相差太大而引起,此情形發生於製鍍薄膜時基板的溫度,冷卻至室溫取出而產生。內應力則是薄膜本身與基板材料的特性,主要取決於薄膜的微觀結構和分子沉積缺陷等因素,所以薄膜彼此的界面及薄膜與基板邊界之相互作用就相當重要,這完全控制於製鍍的參數與技術上,此為壓力的主要成因。 * * 當薄膜沉積在基板以後,薄膜處於應變的狀態,若以薄膜應力造成基板彎曲形變的方向來區分,可將應力分為張應力 (tensile stress) 與壓應力 (compressive stress),如圖一所示。張應力是當膜施力向外伸張,基板向內壓縮、膜表面下凹,薄膜因為有張應力的作用,薄膜本身產生收縮的趨勢,如果膜層的張應力超過薄膜的彈性限度,則薄膜就會破裂甚至剝離基板而翹起。壓應力則呈相反的狀況,膜表面產生外凸的現象,在壓應力的作用下,薄膜有向表面擴張的趨勢。相同的如果壓應力到極限時,則會使薄膜向基板內側捲曲,導致膜層起水泡。數學上表示方法為張應力—正號、壓應力—負號。 造成薄膜應力的主要來源有外應力 (external stress)、熱應力 (thermal stress) 及內應力 (intrinsic stress),其中,外應力是

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