清华大学微电子器件与电路课件——张进宇ch01-1.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1.5 晶体中的缺陷与杂质 间隙原子 几种点缺陷的示意图 * 1.5 晶体中的缺陷与杂质 线缺陷的二维示意图 * 1.5 晶体中的缺陷与杂质 面缺陷示意图1 螺型位错 Screw Dislocation 刃位错：在位错线附近原子失去正常有规律排列，并滑移一段距离，由此产生的缺陷即是。 螺旋位错：在位错线附近原子失去正常有规律排列，产生螺旋位移，这种缺陷即是。 基本区别：刃位错：滑移方向与位错线垂直，位错增加了半片原子面。螺旋位错：滑移方向与位错线平行。质点以位错线为轴做螺旋状排列。 * 1.5 晶体中的缺陷与杂质 刃型位错 Edge Dislocation 混合位错 Mixed Dislocation 面缺陷示意图2 * 1.5 晶体中的缺陷与杂质 2. 晶体中的杂质： 为了改变半导体材料的导电特性，我们常常在有意在半导体材料中引入一些杂质，杂质在半导体材料中也表现为一种晶格缺陷。它的存在形式可分为： （1）代位型杂质（substitutional impurities）： （2）间隙型杂质（interstitial impurities）： 晶体中引入杂质的方法称为掺杂（Doping），掺杂的方法可分为： （1）高温扩散掺杂（high temperature diffusion）； （2）离子注入掺杂（Ion implantation）； * 1.5 晶体中的缺陷与杂质 代位型杂质示意图 * 1.5 晶体中的缺陷与杂质 间隙型杂质示意图 * 1.6 半导体单晶材料的生长 1.6 半导体单晶材料的生长 硅单晶材料可以说是目前纯度最高的一种材料，其纯度已达到百亿分之一。生长半导体单晶材料的方法主要有以下几种： 1. 熔体生长法：又称为切克劳斯基（Czochralski）生长方法，或CZ法。籽晶直拉法。 进一步采用区熔再结晶方法提纯： 利用杂质分凝系数 不停溶化凝固提纯的过程 * 1.6 半导体单晶材料的生长 籽晶直拉法示意图 300mm 硅晶园片 crucible 坩埚 chuck?? * 1.6 半导体单晶材料的生长 实际拉制出的12英寸硅单晶锭 该硅单晶锭长1米，直径300毫米，重量达140千克 具体还需要了解一下 * 1.6 半导体单晶材料的生长 将硅单晶锭切割成硅晶园片的切片机 * 1.6 半导体单晶材料的生长 2. 外延层生长法： 外延生长方法按照材料的类型可分为以下两大类： （1）同质外延（homoepitaxy）； （2）异质外延（heteroepitaxy）； 常用的外延方法有： （1）化学气相淀积法（CVD）： 也称为气相外延法（VPE） SiCl4+2H2→Si+4HCl （2）液相外延法（LPE）： 温度低于CZ法，常用于化合物半导体材料的外延。 （3）分子束外延法（MBE）： 高真空，400至800℃，可精确控制。 * 分子束外延（MBE）设备原理示意图 1.6 半导体单晶材料的生长 * 实际的MBE设备 1.6 半导体单晶材料的生长 * 1.7 热氧化工艺过程 1.7 微电子单项工艺之一：热氧化工艺过程 1. 氧化层的作用： 隔离、钝化保护、栅介质、扩散注入掩蔽材料等。 2. 热氧化工艺： （1）干氧氧化：Si+O2→ SiO2 （2）湿氧氧化：Si+2H2O→ SiO2+2H2 通常采用氧气（O2）、氮气（N2）或氩气（Ar）来携带水汽进行氧化。 生长1?m厚的SiO2层，通常需要消耗0.44?m厚度的硅单晶材料。 本节讨论了表面钝化、表面钝化工艺、表面钝化理论。首先介绍了在器件制造的早期，器件的性能劣化现象十分严重，电老化后的失效率高达百分之六十以上；而导致失效的主要参数是漏电流变大、电流放大系数变低、击穿电压蠕变。对器件的结构分析和对失效参数的分析可知， 器件电性能劣化的原因在器件表面； 在器件制造的早期，表面无强劲的保护措施， 器件表面极易受到周围气氛的影响、 极易受到周围杂质气氛的沾污、 极易与周围化学气氛发生反应；这些导致了器件表面能态发生变化、导致了器件电学性能发生变化、导致了器件电性能稳定性和可靠性都很差。本节介绍了表面钝化及其发展。介绍了表面钝化和表面钝化工艺的定义，指出实施表面钝化工艺对器件电性能的影响；介绍了表面钝化的发展，指出表面钝化的发展包含表面钝