晶体管及其小信号放大(2).pptVIP

场效应管与晶体管的比较 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 绝缘栅型场效应三极MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 2 绝缘栅场效应管（MOS) 一 N沟道增强型MOSFET 1 结构 2 工作原理 (1) VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 (2) VGS VGS（th)0时，形成导电沟道 反型层 (3) VGS VGS（th)0时， VDS0 VDS=VDG＋VGS =－VGD＋VGS VGD=VGS－VDS ＝ VGS（th)时发生预夹断 3 N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性曲线 ID=f(uGS)?uDS=const 输出特性曲线 ID=f(uDS)?uGS=const 二 N沟道耗尽型MOSFET (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D 4 场效应管的参数 一 场效应管的参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在 转移特性曲线上求取，也可由电流方程求得 增强型： 耗尽型： ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。 * * 3.5 单管共射放大电路的频率响应 一 频率响应的基本概念 1 频率响应和通频带 在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的稳态响应，称为放大电路的频率响应。 其中 普通音响系统放大电路 的幅频响应 高频区 中频区 低频区 3dB 频率点（半功率点） 3dB 频率点 2 用分贝（dB)表示放大倍数 3 对数频率响应－波特图 纵轴：dB 横轴：对数坐标 三 基本RC电路的频率响应 1 RC低通电路 RC低通电路的频率特性曲线 2 RC高通电路 RC高通电路的近似频率特性曲线 三 共射放大电路的低频响应 1. 低频等效电路 2 考虑Cb1单独起作用,放大电路呈现高通电路特性 中频增益 转折频率 频率特性 3 考虑Cb2单独起作用,放大电路呈现高通电路特性 转折频率 4 考虑Ce单独起作用,放大电路呈现高通电路特性 转折频率 5 总