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PN结的形成过程 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结 (0.5μm~0.75mm) , 也称耗尽层,阻挡层,势垒区,内电场区,离子区。 因浓度差? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。平衡 PN 结中扩散电流和漂移电流大小相等而方向相反，所以无外加电场或其他激发因素时， PN 结中没有电流。 多子的扩散运动 ? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 小 结 考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况 PN结加正向偏置电压（正偏）： PN结加正向电压时的导电情况 2 PN结的特点 外加电压使内电场减小以致 阻挡层变窄 多子形成的扩散电流增加 漂移电流减小 从电源正极有流入P 区的正向电流 P 区接电源正极 PN结加反向电压时的导电情况 由于在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 N 区接电源正极 外加电压使内电场增加以致 阻挡层加宽 扩散电流进一步减小趋于零 少子形成的漂移电流居支配地位