LED封装理论（固体晶体）结构.ppt

第一章：晶体结构 1.1 半导体材料的分类 1.2 固体的类型 1.3 晶体内部结构周期性 1.4 晶体的形成原因---价键 1.5 晶体中的缺陷和杂质 1.6 半导体材料的生长 化学元素周期表 1.1 半导体的分类 1.1 半导体的分类 第一章：固体晶体结构 1.1 半导体材料的分类 1.2 固体的类型 1.3 晶体内部结构周期性 1.4 晶体的形成原因---价键 1.5 晶体中的缺陷和杂质 1.6 半导体材料的生长 第一章：晶体结构 1.1 半导体材料的分类 1.2 固体的类型 1.3 晶体内部结构周期性 1.4 晶体的形成原因---价键 1.5 固体中的缺陷和杂质 1.6 半导体材料的生长 1.3 晶体内部结构的周期性 1.3.1 晶体主要特征 1.3.2 晶体内部结构周期性的描述 1.3.3 十四种布拉伐格子 1.3.4 晶面与晶向 1.3.5 常见半导体的晶体结构 1.3.1 晶体主要特征 1.3-2 晶体内部结构周期性 1.空间晶格（布拉伐格子） 基元：是一个可以按照一定规律沿着空间三个不同方向重复排列而得到整个晶体的最小单元。 布拉伐格子(Bravais Lattice)：如果每个基元都用一个点代替的话，这些代表点在空间分布的周期性就与晶体中原子排列的周期性完全一致，这些点的整体被称为空间晶格或布拉伐格子。 晶体结构 = 布拉伐格子 + 基元 2.单胞和原胞 2.单胞和原胞 2.单胞和原胞 2.单胞和原胞 2.单胞和原胞 3.基矢量法 十四种布拉伐格子 1.3-3几种常见的布拉伐格子 例题 考虑一种晶体结构为体心立方的单晶材料，其晶格常数a为0.5 nm, 求该晶体中的原子密度。单位(个/cm3)。 答案：1.6x1022个/cm3 1.3-4 晶面与晶向 例题：请写出下列晶面的密勒指数 等效晶面 晶向和等效晶向 1.3-5 常见半导体的晶体结构 第一章：固体晶体结构 1.1 半导体材料的分类 1.2 固体的类型 1.3 晶体内部结构周期性 1.4 晶体的形成原因---价键 1.5 晶体中的缺陷和杂质 1.6 半导体材料的生长 1.4 晶体的形成原因 离子键 —— 离子晶体 共价键 —— 共价晶体 金属键 —— 金属晶体 分子键 —— 分子晶体 离子键 离子键 一族(碱金属)元素容易失去电子成为正离子，七族(卤族)元素容易失去电子成为负离子。而各自达到满外壳层结构。 正负离子之间的库仑作用(吸引力和排斥力)形成离子键 正粒子被负离子包围，反之亦然。 离子键键能很大，晶体熔点较高。 共价键 共有电子来自于两氢原子的贡献，形成共价键 共价键 原子间的相互作用倾向于形成满价壳层 Si原子有四个价电子，与四个近邻原子各提供的一个电子组成满价壳层。 典型的金属晶体分为： 碱金属 (Li, Na, K,等) 碱土金属 (Be, Mg) 过渡金属 (Fe, Cu, Ni，Ag，Au等) 离子心和共有价电子 过渡金属原子内层d电子壳层未被填满，可以构成共价键，这对结合能贡献很大，因此过渡金属熔点很高。 分子之间的作用力 分子的正负电中心分布不对称所至，形成偶极子 偶极子之间的静电作用形成分子键。 作用力很弱，键能很低。 第一章：晶体结构 1.1 半导体材料的分类 1.2 固体的类型 1.3 晶体内部结构周期性 1.4 晶体的形成原因---价键 1.5 晶体中的缺陷和杂质 1.6 半导体材料的生长 热运动 点缺陷 (空位、间隙原子) 线缺陷 等等 第一章：晶体结构 1.1 半导体材料的分类 1.2 固体的类型 1.3 晶体内部结构周期性 1.4 晶体的形成原因---价键 1.5 晶体中的缺陷和杂质 1.6 半导体材料的生长 外延的种类 第一章：晶体结构 1.1 半导体材料的分类 1.2 固体的类型 1.3 晶体内部结构周期性 1.4 晶体的形成原因---价键 1.5 晶体中的缺陷和杂质 1.6 半导体材料的生长 作 业 说明晶体结构与布拉伐格子的关系。 说明元素半导体和化合物半导体的区别，给出它们各自的典型代表，并给出它们的空间晶格结构(布拉伐格子)和晶体结构的名称。 硅的晶格常数为5.43?，计算单晶硅中原子体密度（个/cm3） 并求出两个最近邻原子的距离。 画出三种晶体结构 a.简立方b.体心立方c.面心立方。 Ga As GaAs 晶体——闪锌矿结构 内容提要： 组成晶体的粒子之间存在静电力，键 化学元素周期表 CsCl 晶体结构 Cs+ Cl- H H H H 原子间的相互作用倾向于形成满价壳层 Si Si Si Si Si 金属键 分子键 内容提要： 缺陷 1.5 晶