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第三章 逻辑门电路 3.1 MOS逻辑门电路 A、逻辑电路的一般特性 逻辑器件的数据手册一般提供门电路的电压传输特性、输入和输出高、低电压、噪声容限、传输延迟时间和功耗等技术参数。 1、输入和输出的高、低电平 数字电路中的高、低电压常用高、低电平描述。在正逻辑体制中，用逻辑1和0分别表示高、低电平。 不同系列的集成电路，输入与输出的对应电压范围是不同的。 3.1 MOS逻辑门电路 74HC系列CMOS逻辑电路： 工作电压：5V时， 输入电压：3.5～5.0V对应高电平逻辑1， 0～1.5V对应低电平逻辑0。 输出端带CMOS负载时 ， 输出电压：4.9～5V对应高电平逻辑1 0～0.1V对应低电平逻辑0 输出端带TTL负载时， 输出电压：3.84～5V对应高电平逻辑1 0～0.33V对应低电平逻辑0 3.1 MOS逻辑门电路 2、噪声容限 噪声容限表示门电路的抗干扰能力。通常将最大噪声幅度称为噪声容限。电路的噪声容限愈大，其抗干扰能力愈强。 输入高电平的噪声容限： VNH=VOH(min) －VIH(min) 输入低电平的噪声容限: VNL=VIL（max）－VOL（max） 噪声容限VNH和VNL的数值越大，抗干扰能力越强。 3.1 MOS逻辑门电路 3、传输延迟时间 传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数，它说明门电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长时间。 3.1 MOS逻辑门电路 有时也用平均传输延迟时间tpd表示一个门电路的延迟时间。 4、 功耗 功耗是指门电路工作时自身消耗的功率。它分为：静态功耗和动态功耗。 静态功耗：指当电路的输出没有状态转换时的功耗。 （CMOS电路的静态功耗非常低，在很多低功耗的场合采用CMOS集成电路。） 动态功耗：指当电路在输出发生状态转换时的功耗。 它由两个部分组成： 1、PT=CPDV2DDf 3.1 MOS逻辑门电路 1、PT=CPDV2DD f（瞬时导通功耗） 式中：CPD—功耗电容；VDD—供电电源；f—输出信号的转换频率。 原因：由于电路输出状态转换的瞬间，其等效电阻比较小，使有较大的电流从电源经CMOS电路流入地。 2、PL=CLV2DD f（平均功耗） 式中CL—负载电容。 原因：由于CMOS管的负载通常是电容性，当输出由高电平到低电平，或者由低电平到高电平转换时，会对电容进行充、放电，此时会增加损耗。 3.1 MOS逻辑门电路 动态功耗： PD=PT+PD =（CPD+CL）V2DD f 其值要比静态功耗要大。另外，由于动态功耗正比于电源电压的平方，所以在设计CMOS电路时选用低电源电压器件。 5、延时—功耗积 功耗和传输延迟时间的乘积称为延时—功耗积，用DP表示： DP=tpd ·PD 其值越小，门电路的性能愈好，即越接于理想情况。 3.1 MOS逻辑门电路 6、扇入数与扇出数 I、扇入数 门电路的扇入数取决于它的输入端的个数。 一个四输入的与非门其扇入数Ni=4。 II、扇出数 门电路的扇出数是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。 i、拉电流工作情况 此时驱动门输出高电平，负载电流从驱动门流向外电路。 3.1 MOS逻辑门电路 ii、灌电流工作情况 此时驱动门输出低电平，负载电流流入驱动门。 3.1 MOS逻辑门电路 B、MOS开关及其等效电路 1、MOS管的开关作用 ①、NMOS的开关作用 3.1 MOS逻辑门电路 ②、结论： 当输入为低电平时，MOS管截止，相当于开关“断开”，输出高电平，等效为开关断开。 当输入为高电平时，MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平，等效为开关闭合。 2、MOS管的开关特性 在MOS管的开关电路的输入端，加一个脉冲波，由于MOS管中栅极与衬底电容、漏极与衬底间电容、栅极与漏极电容以及