第3章-位错运动和交割.pptVIP

运动的位错交割后，每根位错线上都可能产生一扭折或割阶，其大小和方向取决于另一位错的柏氏矢量，但具有原位错线的柏氏矢量。所有的割阶都是刃型位错，而扭折可以是刃型也可以是螺型的。另外，扭折与原位错线在同一滑移面上，可随主位错线一起运动，几乎不产生阻力，而且扭折在线张力作用下易于消失。但割阶则与原位错线不在同一滑移面上，故除非割阶产生攀移，否则割阶就不能随主位错线一起运动，成为位错运动的障碍。 小结 3.2.5 带割阶位错的运动 按割阶高度不同可分为小、中、大三种类型。 A 小割阶（小割阶的高度一般只有1~2个原子间距） 图3.16 带割阶的螺型位错的运动 螺型位错在滑移面上与其他位错交割，在其位错线上产生许多割阶，异号割阶反向运动，相互对消，最后只剩下同号割阶。同号割阶相互排斥，形成一定距离，最后在位错线上留下许多不可动割阶，如图3.16（a）所示。 当滑移面上受切应力作用时，由于不动割阶的阻碍作用，螺型位错被割阶钉扎而发生弯曲，如图3.16(b)所示。只有增加滑移面上的切应力，才能克服弯曲位错线的向心恢复力，使弯曲位错线继续向前扩展。当切应力增加到一定程度时，螺型位错便会拖着不动割阶向前一起运动，但在割阶后面留下一串空位或间隙原子，如图3.16(c)所示。 B 中割阶 中割阶的高度从几个到20个原子间距，这时位错不可能拖着割阶一起运动。当滑移面上作用的切应力大到一定值时，位错自己向前滑移，位错与割阶连结点O、P被拉长，形成两条符号相反的刃型位错线OO′与PP′，称为位错偶(Dislocation Couple)，如图3.17所示。位错偶达到一定长度，即与原位错脱离，形成一个长位错环，并分裂成若干小的位错环。原位错又恢复到带割阶的原来状态。 图3.17 位错偶的形成过程 大割阶的长度在20个原子间距以上，它对位错线的钉扎作用更明显。由于割阶较长，割阶两端的位错相距较远，彼此间相互作用较小，在切应力作用下，它们可以在各自的滑移面上以割阶为轴而发生滑移运动，如图3.18。 C 大割阶 图3.18 大割阶的运动 对刃型位错，其割阶与柏氏矢量所组成的面，一般都与原位错线的滑移方向一致，能与原位错一起运动。但此时割阶的滑移面并不一定是晶体的最密排面，故运动时割阶所受到的晶格阻力较大，但螺型位错的割阶阻力则相对要小得多。 3.3 位错的增殖(Dislocation Multiplication) 从直观上看，位错在塑性变形中要不断地逸出晶体表面，使晶体中位错密度不断减少，然而事实恰恰相反，经剧烈变形后的金属晶体，其位错密度可增加4~5个数量级，这种现象充分说明晶体在变形过程中位错在不断地增殖，所以，位错的增殖机制(Multiplication Mechanism)是位错理论中一个很重要的问题。 位错的增殖机制有许多种，其中一种主要方式是弗兰克-瑞德（Frank-Read）位错源。图3.19表示弗兰克―瑞德源的位错增殖机制。 图3.19 弗兰克一瑞德源的增殖过程 若某一滑移面上有一段刃型位错AB，它的两端被位错网节点钉住，不能运动。现沿位错的柏氏矢量方向加切应力，使位错沿滑移面向前进行滑移运动。但由于AB两端固定，所以只能使位错线发生弯曲，见图3.19（b）所示。单位长度位错线所受的滑移力Fd=τb，它总是与位错线本身垂直，所以弯曲后的位错线每一小段继续受到Fd的作用，会沿它的法线方向向外扩展，其两端则分别绕节点A，B发生回转，见图3.19（c）所示。当两端弯出来的线段相互靠近时，见图3.19（d）所示，由于两线段平行于柏氏矢量，但位错线方向相反，分别属于左螺型位错和右螺型位错，它们互相抵消，形成一闭合的位错环和位错环内的一小段弯曲的位错线。只要外加切应力继续作用，位错环便继续向外扩张，同时环内的弯曲位错在线张力作用下又被拉直，恢复到原始状态，并重复以前的运动，络绎不绝地产生新的位错环，从而造成位错的增殖，并使晶体产生可观的滑移量(Slippage)。 为了使弗兰克一瑞德源开动，外加切应力需克服位错线弯曲时线张力所引起的阻力。由位错线张力一节可知，外加切应力τ与位错线弯曲时的曲率半径r之间的关系为 ，即曲率半径越小，要求与之相平衡的切应力越大。从图3.19可以看出当AB弯成半圆形时，曲率半径最小，所需的切应力最大，此时r=L/2，L为A与B之间的距离，故使弗兰克一瑞德源开动的临界切应力为 。若外加切应力＞ ，则位错环将继续向外扩张。 弗兰克一瑞德的位错增殖机制已为实验所证实，人们已在Si、Cd、Al-