第4章-实际晶体结构中位错.ppt

4）面角位错：形成于两个{111}面之间的面角上，由三个不全位错和两片层错所构成的位错组态。 体心立方晶体中的位错： 1）全位错合成反应： 2）层错：{110}面上层错（滑移型）；{112}面上层错有三种： I1型内禀层错、 I2型内禀层错、 E型外延层错。 3）不全位错： {110}面上1/8110； {112}面上1/6111或-1/3111。 4）扩展位错： {110}面上 {112}面上 密排六方晶体中的位错： 1）层错：抽出一层原子或滑移形成内禀型层错；插入一层原子形成外延型层错。 2）不全位错： 肖克莱不全位错 弗兰克不全位错 3）扩展位错：三个不全位错分别位于三个 面上，与区域位错和三片相邻的层错共同组成扩展位错。 科恩(Cohen)等人曾用这种模型设想一个 螺型位错分解形成可滑移型扩展位错的可能性，如图4.21(a)所示，这种分解反应称为可滑移分解。 柯佑帕(Kroupa)等人又设想 螺型位错可沿属于[111]晶带轴的三个{110}面内分解，如图4.21(b)和(c)所示。其位错反应如下： 为中心螺型位错，分别与另三个不全位错以三片层错相联，故称为三叶位错。在图4.21中，(b)和(c)是等效的两个状态，可以交替地沿同一条位错线扩展。 图4.21 柏氏矢量为 的螺型位错在{110}面上分解 （a）可滑移分解；（b）和（c）不可滑移分解，两种状态相差120° B 在{112}面上的扩展位错 Frank等人提出， 螺型位错可在{112}面上按下式分解扩展： 这是由于一个螺型全位错分解成两个螺型不全位错，均位于同一滑移面上，如图4.22(a)所示。这种位错组态在外力作用下可整体滑移，也称为可滑移分解。 赫许(Hirsch)等人又提出了一种 螺型位错沿属于[111]晶带轴的三个{112}面上分解的可能性，如图4.22(b)所示，即 其特点是形成相交的三片层错，分别以三个 螺型不全位错为边界，但却无中心不全位错。 斯利维克（Sleeswyk）认为这种中心无不全位错的扩展位错不稳定，应按图4.22（c）所示的方式分解。在无应力作用时，图4.22（c）中所示的组态可有三种等效情况（相差120°）。 这种各不全位错分别位于不同滑移面上的分解，也称为不可滑移分解。所形成的扩展位错组态具有阻碍其他位错滑移的特性。 图4.22 螺型位错在{112}面上分解机制示意图 （a）可滑移分解；（b）不可滑移分解，无中心位错；（c）不可滑移分解，有中心位错 4.6 密排六方晶体(Hexagonal Close-packed Crystal) 中的位错 4.6.1 层错 密排六方晶体也为密排结构，其堆垛次序为AB AB AB，二层一循环。密排面是（0001）面，这种密排面也可以用刚球模型来描述，如图4.23所示。 图4.23 密排六方晶体中密排面的刚球模型 在密排六方晶体中，层错也有内禀型和外延型之分，可分别由以下三种方式形成。 A 抽出一层原子后，上下两部分晶体适当平移 若在密排六方晶体的正常AB AB堆垛次序中去掉某一层原子，如B层原子，再使其上各层原子的位置平移 ，会使堆垛次序变为 （4-11） 则形成内禀型层错，即 …AB AB AB A┆CA CA CA… （4-12） 其特点是从AB AB两层循环堆垛过渡到AC AC堆垛之间，存在三层堆垛结构BAC。由于不可能由同种类面构成邻近面，如AA和BB，所以在密排六方晶体中的层错必然包含面心立方晶体中的堆垛层次。 B 简单滑移 若将晶体在某一B层处剖开，使上部晶体相对下部晶体平移至C位置，也可形成内禀型层错，例如 （4-13） 则得 …AB AB AB┆CA CA CA… （4-14） C 插入一层原子 若在A和B层之间插入一层C原子，则可形成外延型层错，即 （4-15） 显然，第一种和第三种情况可以相互转化，通过滑移会