整流器和直流稳压电源1.ppt

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整流器和直流稳压电源1

10.1 整流器和直流稳压电源 10.2 整流滤波电路 2. 主要性能 ? 1 式中U′i为变压器次级单边交流电压有效值,U′im为交流振幅。根据式(9—28),可以由Uo算出U′i,从而算出变压比 3)整流管的选择 10.2 串联反馈型线性稳压电源的工作原理 二、主要参数 2)输出电阻Ro 2. 调整管参数 集成三端稳压器是集成串联型稳压电源,用途十分广泛,而且非常方便。集成三端稳压器有78××系列(输出正电压)和79××系列(输出负电压),后面两位数表示输出电压值,如7812,即表示输出直流电压为+12V。 三端稳压电源的功能可以扩展。图9—17给出几个功能扩展电路。图9—17(a)是一个扩流电路。图中V为扩流晶体管,输出总电流Io=I′o+IC。 (1)调整管总工作在线性放大状态,管压降大,流过的电流也大(大于负载电流),所以功耗很大,效率较低(一般为40%~60%),且需要庞大的散热装置。 开关稳压电源正是基于上述改革思路而发明的新型稳压电源。目前,开关稳压电源已广泛应用于计算机、电视机及其它电子设备中。 电网电压不稳使输出直流电压Uo增大,经光耦合器隔离,误差放大器反相输入端电压增大,其输出减小。该电压(UC+)与UC-的三角波比较结果,会使其输出电压(UG)的占空比减小,如图9—19虚线所示,从而使VMOS导通时间减小,截止时间增加。 图9—20中,VMOS源极电阻R9为过流采样电阻。当过流时,UR9增大,经R10送至UC3842的3端,以实现过流保护的目的。C8、VD3、R11、R12、VD2和C9构成两级吸收回路,用以吸收尖峰干扰。VD1~VD3采用快恢复的二极管FR305。VD4为输出整流管,采用D80-004型肖特基二极管,以满足高频、大电流整流的需要。 图9—27(a)给出一种高速大功率CMOS器件(TC4420/29系列),其脉冲峰值电流高达6A,开关速度高达25ns,使用十分方便,而且能带动大电容负载(CL≥1000pF)。 目前,还出现了许多高速大功率运算放大器(PowerOperationalAmplifiers),如OPA2544、3583等。OPA2544的最大输出电流为2A, 电源电压范围±10V~±35V 压摆率为8V/μs 其封装和引脚图如图9—28所示: 为保证功率管的正常运行,要附加一些保护电路,包括安全区保护、过流保护、过热保护等等。例如,在VMOS的栅极加限流、限压电阻和反接二极管,在感性负载上并联电容和二极管,以限制过压或过流。又如,在功率管的c、e间并联稳压二极管,以吸收瞬时过压等等。 9—4 高精度基准电压源 在集成电路或电子设备中,常需要基准电压源(UREF)。该类基准电压源要求精度高,温度稳定性好(±0.2×10-6~±20×10-6左右),噪声电压低,长期稳定度好等,但其输出电流并不大,一般为几毫安~十几毫安。实现此类电压基准功能的电路和器件有两种,简要介绍如下。 如图9—29所示,UBE为负温度系数,UT发生器乘以系数K为负温度系数,二者经相加器相加后得到基准电压UREF: 式中,Ug0为半导体材料在绝对零度下(0K)的带隙(Band—Gap)电压,即禁带宽度。硅材料的Ug0为1.205V,锗材料的Ug0为0.72V。该值是一个固定不变的电压值。如式(9—42)所示,若调整K值使第二项与第三项相抵消,则 图9—30给出一个能隙基准电压源的电路例子。设运算放大器是理想的,且RA=RB 因此有 ? 运放输出电压即基准电压UREF为 若R4固定,则改变R3,即可得到不同的基准电压值。美国AD公司的AD580、AD581、AD584、AD680系列电压基准的原理电路与图9—30相同。

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