第3章 半导体中载流子1.ppt

第3章 半导体中载流子的统计分布 本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度； 探讨半导体中载流子浓度随温度变化的规律。 计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 允许的量子态按能量如何分布 电子的循序的量子态中如何分布 热平衡态 一定的温度下，两种相反的过程（产生和复合）建立起动态平衡 载流子的产生率=载流子的复合率 载流子数目一定 3.1状态密度 状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算单位能量范围所对应的k空间体积； 计算单位能量范围内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 对于边长为L的立方晶体 kx = nx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …) kz = nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …) k空间中电子的允许量子态密度2V k空间状态分布 3.1.2 状态密度 导带底E(k)与k的关系 能量E~(E+dE)间的量子态数 可得 代入可得 导带底附近状态密度 对于实际半导体材料 设导带底的状态有s个，根据同样方法可求得 其中 mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6 mdn=1.08m0 对于Ge，s=4 mdn=0.56m0 同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 其中 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 3.2费米能级和载流子的统计分布 3.2.1费米分布函数 服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计规律 K0玻尔兹曼常数，T绝对温度，EF费米能级 费米能级的物理意义：化学势 当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起的系统的自由能的变化。 费米能级标志了电子填充能级的水平 3.2.2玻耳兹曼分布函数 非简并性系统：服从玻耳兹曼统计律的电子系统 简并性系统：服从费密统计律的电子系统 3.2.3导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 同理 3.2.4载流子浓度乘积n0p0 热平衡状态下，浓度乘积只由温度和半导体材料有关，而与所含杂质无关。 3.3本征半导体载流子浓度 3.3.1本征费米能级 本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体 本征激发电中性条件： 本征半导体的费米能级基本上在禁带中央处 3.3.2本征载流子浓度 3.4杂质半导体的载流子浓度 3.4.1杂质能级上的电子和空穴 电子占据施主能级的几率是 空穴占据受主能级的几率是 施主能级上的电子浓度为 受主能级的空穴浓度为 电离施主浓度为 电离受主浓度为 3.4.2n型半导体的载流子浓度 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的： （电中性条件) 低温弱电离区 费米能级位于导带底和施主能级间的中线处 中间电离区 当温度升高至 费米能级下降到 以下 强电离区（饱和电离区） 费米能级由温度和杂质浓度决定 载流子浓度与温度无关 高温过渡区 近本征激发区 高温本征激发区 小结 掺有杂质的半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定 杂质一定，随着温度升高， 载流子是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源 费米能级则从位于杂质能级附近逐渐移近禁带中线 温度一定，费米能级位置由杂质浓度决定 费米能级的意义 反映半导体的导电类型 反映半导体的掺杂水平 反映半导体填充能级的水平 ▲譬如n型半导体: 在低温弱电离区时，导带中的电子是从施主杂质电离产生的；随着温度升高，导带中电子浓度也增加，而费米能级则从施主能级以上往下降到施主能级以下； 当EF下降到ED以下若干K0T时，施主杂质全部电离，导带中电子浓度等于施主浓度，处于饱和区；再升高温度，杂质电离已经不能增加电子数，但本征激发产生的电子迅速增加着，半导体进入过渡区，这时导带中的电子由数量级相近的本征激发部分和杂质电离部分组成，而费米能级则继续下降：当温度再升高时，本征激发成为载流子的主要来源。载流子浓度急剧上升，而费米能级下降到禁带中线处，这时就是典型的本征激发。 ▲对于p型半导体： 在受主浓度一定时，随着温度升高，费米能级从在受主能级以下逐渐上升到禁带中线处，而载流子则从以受主电