磁控溅射靶的设计经验.pptVIP

磁控溅射靶的设计经验 中国真空学会薄膜专业委员会委员 中国真空学会咨询工作委员会委员 王 怡 德 磁控溅射技术所关注的七个问题 提高溅射速率 保证组分比和膜系设计原则 参与膜层生长，提高膜层质量 提高靶材利用率，降低靶材生产成本 溅射均匀性和长期使用中均匀性的变化 溅射靶在长期运行中的稳定性 简化靶的结构和确立靶制造的工艺规范 关于磁控溅射靶结构的演变 溅射速率—功率密度—传热效率 高靶材利用率—磁场布局—等场强分析 特殊磁场结构—移动磁场—附加磁场 高稳定性—消除“打火”—消除污染—变换放电模式 建立规范化的制造工艺 阴极与阳极—消除污染—建立自偏压 磁控模式的离子源 常见靶结构的几点探讨 常见靶的问题与改进方向 磁钢泡在水里—磁钢蚀解、水锈堵塞… 水平场强弱，不均匀… 靶材利用率低—20%左右 横向传热限制靶功率密度--10W/cm2 水道流速低--限制靶功率密度 靶面沟道外堆积绝缘物质导致频繁放电 靶侧面的放电问题 溅射速率—功率密度 影响溅射速率诸因数中，最直观、最显著的因数是：施加到靶面的功率密度。 R=KYJi 溅射工况中增强辉光等离子体的离化率是：提高溅射功率密度有效途径。 限制靶功率密度提高的主要因数是：靶的传热能力 离子能量的影响—200-500eV 靶的溅射速率被 靶的功率密度来 除称为溅射功率 效率。是选取工 况条件的重要依 据可以看出： 200-500eV是最 好的工作区间。 增强溅射等离子体密度的几种方法 利用磁场增强溅射等离子体密度 磁控溅射的几种新工作模式 低压强溅射与灭辉压强 有沟槽的靶面也具有降低灭辉压强的效果 带沟槽的靶面 灭辉压强的对比 W=2mm，S=3mm，b=1.4mm 平面靶厚1.5mm hT=4mm 低压强溅射的靶材剖面 靶材利用率有明显的提高 低压强溅射的膜层结构区域分布 Thornton模型表明薄 膜结晶结构形成的条件 低压强溅射中入射离子 能量大，导致Thornton 模型扩展 在室温下可以形成细纤 维状致密D的结晶结构 和压应力薄膜 溅射速率与与平均靶功率密度的变化趋势—形成自溅射 溅射电压变化不大 平均靶功率密度线性增长 溅射速率0-A段呈线性增长 A-B段增长缓慢；这是由于 等离子体区域扩展，引起 离子损失增加的缘故 B段之后，增长加速；靶材 蒸发离子参与离化，Ar++M+ 同时溅射靶材，直到不需要 Ar+，完全靠M+维持溅射— 形成自溅射 自溅射—进行溅射时不再需要氩离子介入 靶的磁场设计—涉及到的各个方面 电磁场与永磁体磁场 主磁场与辅助磁场 固定磁场与移动磁场 永磁体的材料选择 磁场的等强分布与空间分布 磁场下限与磁场上限 磁场与靶结构的配合 起辉 稳定 靶材利用率 辅助功能 靶的制造成本 靶的制造工艺 特种溅射工艺要求 靶的溅射功率效率与最大水平场强的关系 最大水平场强在垂直靶面方向的衰减曲线 0为靶面。 -8mm为磁靴表面。 +5mm处为所提供。 的场强数据。 电磁方靶： 120×240mm 磁化电流：2A 北京仪器厂提供 靶稳定工作所需压强与场强的条件 永磁体的选择 磁场花样—Δ靶 磁场花样—心形靶 磁场花样—回旋柱状靶 磁场花样—平面移动磁场 磁场花样—纵向移动磁场 磁控溅射与平面电弧转换的靶 背环靶 背环靶应用实例（一） 背环靶应用实例（二） 适用于立式双面玻璃 镀膜设备，特别是要 求玻璃加热到200℃ 以上的具体产品，采 用这种结构比较方便 。这种布局已在移动 靶，玻璃不动的设备 中使用过，效果很好。 光盘铝靶磁体结构的演化 光盘铝靶磁体结构的演化 光盘铝靶磁体结构的演化 光盘铝靶磁体结构的演化 光盘铝靶磁体结构的演化 靶表面的热效应 靶表面承受功率的55-70%以上加热靶材，这些热量的绝大部分需要由冷却剂带走。 靶材与冷却剂的热接触非常重要。 直接冷却有：腐蚀、靶材承受压力、密封圈的粘连损坏等等。 冷却剂通常选择水（纯化水、油等）。 冷却效果主要取决于冷却剂流速。 在10mm靶材厚度上产生100℃温差时的功率密度（W/cm2） 在10mm靶材厚度上产生100℃温差时的功率密度（W/cm2） 续表 关于基片表面的热负荷 磁控溅射基片的典型温升曲线 Al靶，源-片距60mm 溅射压强：5?10-1Pa 上、中、下的条件： 上：3000?/min 中：1400?/min 下：1400?/mi