功放设计经验谈.pptVIP

功放基础 功放原理与普通放大器原理雷同 功放特点:高电压,大电流,大功率 功放在通讯系统中主要用于发信机. 是信号发射出去之前的最后的放大. 功放组成 屏蔽盒.高频信号容易辐射,并且易受外界干扰.必须采取屏蔽措施.一般采用铜.铝等金属.屏蔽盒除了具有屏蔽作用外,也起机械保护,环境保护的作用. 介质基片.底板安装于屏蔽盒主体. 功放管.因功放管为功率大,发热多的元件.故功放管要与散热器连接紧密,以充分散热. S参量 微波网络通常用散射参量(S参量)来分析。 S11=输出端口接负载时的输入反射系数 S22=输入端口接负载时的输出反射系数 S12=输入端口接负载时的反向增益 S21输出端口接负载时的正向增益 接负载即使负载等于传输线特性阻抗. S11和S22与反射系数性质相同.S21代表正向传输,S12代表反向传输.当网络是可逆的时候S12=S21,当网络是对称的时候S11=S22,S12=S21 功放匹配电路 输入匹配得到增益和平坦度.输出匹配力求获得最大资用功率. 变阻.由于射频系统中传输均是以特性阻抗50欧姆莱传输的.为了能和信源以及输出匹配,必须将功放的输入输出接口匹配到50欧姆. 滤波.避免高次谐波进入系统,应采取滤波措施. 功放匹配电路主要思想是将增益和功率结合起来达到最佳,然后引入变阻滤波概念,使功放能输出最大功率. 直流偏置与去耦 功放设计 明确功放的主要指标. 选择介质基片并选择高性价比的功放管以及推动 进行仿真 设计匹配电路 设计检测以及控制电路 调试以及测试 介质基片的选择 介质基片的介电常数以及厚度对功放的电路参数有着非常关键的影响. 根据使用的频率、电路功能和成本等出发来选取基片的材料。公司常用的是FR4、F4B等国产介质材料。由于基片厚度和微带线的宽度有关，基片越薄，微带线变细，导致导体损耗上升。铜箔厚度也和损耗有关，大功率电路，建议采用厚些的（1-2oz约35-70微米）。另外，要考虑铜箔和介质的粘合力。聚四氟乙烯玻璃纤维编制布材料做成的基片，具有较低的损耗，国内也已经生产，成本也较低，同时也是一种较好的基片。 要求比较高的功放也通常使用进口的基片.国外基片相对一致性好,均匀度高,附着性好,损耗的,热导低.是做功放的好材料.但是成本高. 常用的放大器件 双极晶体管：早期多使用在单通道的模拟基站功放中。他存在两个问题：高阶互调和低电平的交叉失真，因此线性不好。 GaAs MESFET:线性好,但是功率做不大 LDMOS 硅射频横向扩散金属-氧化物-半导体：由于其采用了横向沟道结构，漏极、源极和栅极都在芯片表面，其中源极和沟道是短接的,不存在击穿电压的问题,延长了管子的使用寿命.采用双扩散技术即可决定沟道长度，不受光刻精度的限制。因此。其跨导、漏极电流、最高工作频率和速度都较一般MOSFET有大幅度的提高，还具有易集成的特点。与双极晶体管相比，其在大电流范围的跨导保持较大并为常数，故线性放大范围较大，并在较大输出功率时能有较大的线性增益。热阻也小。LDMOS的缺点是功率密度比较小,容易收到静电的破坏. LDMOS BJT LDMOS放大器与BJT放大器高阶互调的比较 三. 设计要点 在功放中常采用功率合成技术，这样可使用小功率的功放管来实现输出大的功率。常用3分贝耦合器来实现功率合成，其优点是输入输出的驻波特性较好。也可用功分器来实现，但这是需加入四分之一波长线来改善输入和输出的驻波特性。 功分器 用来将功率按要求分配的器件，常把将信号功率平均分配成两部分的称为功分器。其输出的两个端口之间是隔离的，当同时在输出端加上等幅同相的信号时，将在输入端输出两个功率之和，故该器件即可做功率分配用也可做功率合成用。 可用两段70.7欧姆特性阻抗的四分之一波长线来构成。在两个输出端之间接一100欧姆的电阻来形成隔离。 当对插损指标要求不高时，可用三个16欧姆的电阻结成星形，来进行功分。此时，输出信号衰减是6dB。 4. 散热片的设计： 由于功放管在工作时，将耗散大量的热量，因此必须将功放管安装在低热阻的散热器上，以不使功放管的温度升高过多。散热片材料以紫铜为最好，其次是铝、黄铜和钢，表面黑化和打毛可提高散热效率，安装功放管处要加工的平整（要小于0.001“），热界面处涂敷导热硅脂或强力散热膏，安装时应对螺钉的转矩等提出要求。散热片的面积按下式计算：要求的热阻为