5 场效应放大电路1_7561_365_20091023160306.ppt

耗尽型 场效应管与晶体管的比较 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds， 由输入输出回路得 则 通常 则 end 大电阻，可认为开路 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 本节不做教学要求，有兴趣者自学 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： （不要求） 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 5.5 各种放大器件电路性能比较 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 例题 则电压增益为 由于 则 end 根据电路有 P 沟道耗尽型管 符号： G S D 予埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 5.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 考虑到 则 (其中 （增强型） 5.1.5 MOSFET的主要参数 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置(2种)及静态工作点的计算(2种) （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 直流通路 共源极放大电路（分压） 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 注意：VGS----ID----VDS; 饱和区和可变电阻区的管子特性方程有何差异？ Kn,VT 已知 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路（分压） 饱和区 需要验证是否满足 注意：联立求解VGS和ID后，再求 VDS; 其余同前； Kn,VT 已知 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI＝0， VG ＝0，ID ＝I(为已知量) 电流源偏置 （自给偏压） VS ＝ VG － VGS （饱和区） VdS ＝ VDD － ID Rd 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小