dc jet plasma cvd法制备cbn薄膜设备与工艺分析word格式论文.docxVIP

承诺书本人声明所呈交的硕士学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得南京航空航天大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。本人授权南京航空航天大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后适用本承诺书）作者签名：日期：摘要立方氮化硼（CubicBoronNitride，简称cBN）有着优异的物理化学性质，硬度高、耐磨性好、抗氧化能力强、不易与铁系金属发生反应、可进行P 型和N型掺杂，使其在机械切削加工、光学和电子领域有着非常明朗的应用前景。但是目前国内对CVD法制备cBN的研究工作尚不成熟，因此开展CVD法cBN薄膜的制备研究工作有着重要的意义和价值。为探索cBN薄膜的制备工艺，本文开展在不同衬底上制备cBN薄膜的基础工艺研究。所完成的工作和取得的成果如下：1.分析了直流喷射等离子体CVD设备沉积原理，根据cBN的制备要求对原直流喷射等离子体CVD法金刚石薄膜沉积设备进行改进，增加小流量H2气路、N2气路、BF3 气路、偏压装置、尾气处理装置和低压真空度检测装置，使其满足cBN制备的设备条件。研究了Ar/N2气体不同配比、气压、偏压、BF3 气体对等离子体弧的影响，发现腔压4kPa，泵压9kPa，Ar流量3~4.5SLM，N2流量1~2SLM，BF3流量10~20SCCM（含量为10%），偏压小于-75V时可得到稳定的等离子体弧。2.使用Fluent仿真软件，对沉积腔进行建模仿真，研究了阳极环与沉积台不同距离、Ar/N2不同配比和不同材料沉积台对沉积台区域温度场和流场的影响。仿真结果表明：阳极环与沉积台距离过大会使衬底表面温度和压力急剧降低；提高Ar/N2比例会引起衬底表面温度和压力的缓慢降低；铜沉积台相比钼沉积台，衬底表面温度下降较明显。3.采用改进之后的直流喷射等离子体CVD设备在Si、Si/金刚石、硬质合金/金刚石和Mo/ 金刚石衬底上制备cBN薄膜。研究了不同偏压和衬底温度对Si衬底制备cBN的影响，发现在本系统中温度为860°C、偏压为-60V时为合适的沉积参数；Si/金刚石制备出的cBN薄膜呈团聚状；硬质合金/金刚石衬底表面在大面积等离子体辐射下温度过高，粒子轰击、刻蚀能力增强，使得金刚石层部分被刻蚀，阻碍了cBN的形核生长；以Mo/金刚石为衬底时，发现金刚石层仍存在刻蚀情况，但在表面发现纳米级cBN晶粒。关键词：cBN，直流喷射等离子体，等离子体弧，金刚石过渡层，有限元仿真AbstractCubicboronnitride(cBN)hasexcellentphysicalandchemicalproperties,suchasultrahigh hardness,goodabrasionresistance,outstandingantioxidantability,uneasyreactionwithferrous materialsaswellaspandndoping.Ithasbroadprospectsintheapplicationofmechanical machining, opticalandelectronicfields.InordertoinvestigatethepreparationprocessofcBN,researchwas carried out in this paper.Themain work and results obtained are as follows:TheprincipleofDCjetplasmaCVDdepositionequipmentwasstudied,anditsupgrading processbased onthe requirementsofcBNpreparation wascarried out, including theaddition ofH2,N2andBF3gaslines,substratebiasdeviceandtailgastreatmentsystem.AndtheinfluencesofAr/N2ratio,biasvoltage, and BF3flowon the plasma arc stabilitywere studied. The adaptedparameters for stableplasma-arcwereasfollows:volumepressure4kPa,pumppressure9kPa,Arflow3~4.5slm,N2flow1~2 slm, BF310~20sccm(10%in