掺杂方式和杂质能级.pptx

半导体材料---现代信息社会的基础人们的生活离不开半导体材料第二章半导体中的杂质和缺陷能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级2.3缺陷和位错的能级学习要点1、杂质存在方式2、杂质电离3、杂质能级4、杂质补偿涉及知识点：半导体的晶体结构、能带结构 1 杂质存在方式 --半导体晶体结构四面体间隙六边形间隙66%的空隙杂质存在方式 --两种类型间隙式杂质：原子半径较小替位式杂质：（P、B）原子半径与价电子结构和晶体原子相似。杂质电离 --施主杂质施主杂质：杂质电离时提供一个自由电子，形成不能移动的带正电的离子。杂质电离 --受主杂质受主杂质：杂质电离时提供一个自由空穴，形成不能移动的带负电的离子。杂质能级Ec?ED施主能级EgEi受主能级? EAEv浅能级杂质杂质能级在禁带中的位置杂质能级Ec? EDEg施主能级Ei受主能级? EAEv深能级杂质杂质能级在禁带中的位置杂质作用受主杂质P型半导体施主杂质N型半导体杂质补偿作用 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？施主受主能量角度的理解：能量越低系统越稳定杂质补偿作用当ND NA时 受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA受主能级。EcED电离施主电离受主EAEv有效施主浓度n=ND-NA此时半导体为n型半导体 杂质补偿作用当ND NA时 受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA受主能级。EcED电离施主电离受主EAEv有效受主浓度p=NA- ND此时半导体为p型半导体 杂质（能带）工程课堂小结1、间隙式杂质；替位式杂质2、施主杂质电离—施主能级；1、受主杂质电离—受主能级3、杂质补偿---有效杂质浓度课后作业、任务作业：练习题P55，第二、三题自主练习，根据本节课内容学生自己画出杂质电离过程和能级结构半导体材料是现代信息社会的基础，现如今我们生活中的两件必需品手机、电脑都是半导体材料的典型应用。所以人们的生活离不开半导体材料。半导体材料之所以能够起到如此重大的作用，源于其光学、电力特性的充分应用。通过第一章的学习可以知道半导体材料的特性是靠载流子所体现的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。在实际应用中半导体材料的性能必须是稳定、可控的，所以就引出了本节课所要讲的内容半导体的掺杂。本节课的知识要点有四个：它详细的回答了杂质从进入半导体到如何影响半导体的性能的详细过程。如果杂质要想进入半导体，首先就必须要求半导体为它提供位置。那么半导体内有没有这样的空位呢？有的。根据上节课学习的内容可以很容易的计算出原子只占晶胞体积的34%，也就是说有晶胞内66%的体积都是空着的。这就是硅晶体中两种典型的间隙类型，四面体间隙和六边形间隙。当杂质的原子半径比较小的时候（就像锂原子）它就可以存在于晶胞中的间隙位置，这就是间隙式杂质。还有一种情况就是当杂质原子的半径与价电子结构与晶体原子相似的时候它就会取代晶格原子位于晶格点处，这就是替位式杂质。本节课重点研究替位式杂质。刚才说过替位式杂质的价电子结构与晶体原子相似，但是并不是相同，p原子和Si原子最大的不同在于什么地方？对，价电子的数量不同，p原子有五个价电子而它形成稳定结构时只需要贡献出四个价电子。那么同学们考虑一下p原子在进入半导体后会发生什么现象呢？电离，很好。所以杂质在半导体内会电离，根据杂质电离时的不同现象可以分为施主杂质和受主杂质。本来纯净的半导体是具有完美的周期性的，可是杂质进入以后周期性势场会被破坏，从而产生杂质能级。杂质能级位于半导体禁带中，施主能级靠近导带底部，受主能级靠近价带顶部，它们距导带和价带的距离的大小取决于杂质的电离能。如果电离能比较小的话就叫做浅能级杂质，如果电离能比较大的话就叫做深能级杂质。上面介绍了杂质对半导体能带的影响，那么杂质对半导体导电特性有什么影响呢。分别来看一下，当施主杂质为主的话，它可以为半导体提供大量的？电子。此时半导体就会呈现出电子为主的导电特性，如果受主杂质为主的话就会呈现出空穴为主的导电特性。所以杂质可以改变半导体的导电类型。下面就看一下两种杂质同时存在时系统怎么通过电子的跃迁达到能量最低状态的。当两种杂质同时电离时，施主要失去电子，施主电子有两个选择一个是高能级的导带底部，另一个是低能级位置受主能级。同学们想一下电子会首先选择哪个？对，低能级位置的受主能级，当受主能级被填充满了以后他才会跃迁到导带中称为自由载流子。所以这里就出现了一个新的概念有效杂质浓度。