薄膜太阳电池的发展现状.pptVIP

薄膜太阳电池的概述 主要内容 薄膜太阳电池发展概述 发展机遇 应用市场 国内薄膜太阳电池研究 多晶硅薄膜电池产业化前景 发展薄膜太阳电池建议 薄膜太阳电池概说 太阳电池发展的基本问题 - 市场情况 硅材料90%以上 - 提高效率和降低成本 - 材料的选择和工艺优化 薄膜太阳电池的技术难点 - 衬底材料 硅、陶瓷、玻璃、塑料 - 薄膜制备工艺 Sol-Gel, CVD, PVD 非晶硅太阳电池 多晶硅薄膜太阳电池 碲化镉薄膜太阳电池 铜铟镓锡薄膜太阳电池 第三代光伏太阳电池的提出 薄膜太阳电池发展概述1999-2004各类太阳电池产量百分比对比：薄膜太阳电池没有发展机会?! 1999 2000 2001 2002 2003 2004 Mono-Si 40.8 37.4 34.6 36.4 32.2 36.2 Poly-Si 42.1 48.2 50.2 51.6 57.2 54.7 Si-sheets 4.1 4.3 5.6 4.6 4.4 3.3 a-Si 12.3 9.6 8.9 6.4 4.5 4.4 CdTe 0.5 0.3 0.5 0.7 1.1 1.1 CIS 0.2 0.2 0.2 0.2 0.6 0.4 薄膜太阳电池发展概述德国Ulm面粉厂CIS电池建筑集成（100kW）(Wuerth Solar) 薄膜太阳电池的发展机遇 至今为止，薄膜电池未能达到所期望的发展 原因：效率、稳定性、价格 硅电池长寿命，经长时期应用检验，认可度高 发展机遇：硅材料短缺 薄膜电池优点 薄膜化、大面积是太阳电池发展趋势 成本降低 柔性电池 薄膜太阳电池应用市场 消费品( 手表、计算器和玩具等） 建筑构件（幕墙、门窗、光伏屋顶) 便携式系统 (移动电源-照明、通讯，单兵作战装备) 柔性电池 国内薄膜太阳电池研究机构 中科院半导体所 非晶硅、多晶硅 北京太阳能所 多晶硅 南开大学 非晶硅、铜铟锡 中科院等离子体物理所 二氧化钛 四川大学 碲化镉 中山大学 多晶硅 非晶硅太阳电池 - 发展 1975年Spear等人利用硅烷的直流辉光放电技术制备出a-Si:H材料，即用补偿了悬挂键等缺陷态，才实现了对非晶硅基材料的掺杂，非晶硅材料开始得到应用； 1976年第一个非晶硅太阳电池被研制出（效率：1-2%）； 1980年非晶硅太阳电池实现商品化。日本三洋电气公司利用非晶硅太阳电池率先制成计算器电源，并实现工业化生产； 目前世界非晶硅太阳电池生产能力50MW/年，效率13%，应用范围从多种电子消费产品如手表、计算器、玩具到户用电源、光伏电站 非晶硅太阳电池 - 特性 非晶硅a-Si禁带宽度为1.7eV, 通过掺B 或掺P可得到p型a-Si或n型a-Si; 非晶硅掺C, 可得到a-SiC, 禁带宽度?2.0 eV（宽带隙）; 掺Ge,可得到a-SiGe禁带宽度1.7-1.4eV （窄带隙）; 在太阳光谱的可见光范围内，非晶硅的吸收系数比晶体硅大将近一个数量级，其本征吸收系数高达105cm-1; 非晶硅太阳电池光谱响应的峰值与太阳光谱的峰值接近； 由于非晶硅材料的本征吸收系数很大，1um厚度就能充分吸收太阳光， 厚度不足晶体硅的1/100，可明显节省昂贵的半导体材料 S-W 效应：非晶硅及其合金的光暗电导率随光照时间加长而减少， 经200度退火2小时可恢复原状。这种现象首先由Stabler 和Wronski 发现。这是非晶硅材料结构的一种光致亚稳变化效应，即光照是材料产生悬挂键等亚稳缺陷 非晶硅太阳电池的制备 非晶硅太阳电池的制备 非晶硅太阳电池的制备 非晶硅太阳电池的制备 非晶硅薄膜太阳能电池生产的主要设备和工艺流程 非晶硅薄膜太阳电池串联连接结构 非晶硅太阳电池的制备 非晶硅太阳电池的制备 非晶硅太阳电池 研究单位： - 中国科学院半导体研究所（48所?） - 南开大学、 - 中国科学院研究生院 - 汕头大学 生产单位： - 哈尔滨克罗拉 - 深圳创益、拓日、日月环 - 天津津纶 - 北京 Sharp硅片生产性工艺 Sharp硅片生产新工艺类似AstroPower? 多晶硅薄膜太阳电池产业化 CSG Solar公司，2004年建于德国Thalheim, 致力于发展以玻璃为衬底的多晶硅太阳电池 技术来源：Matin Green和Paul Basore等领导下的10年的研究成果（SiH4) 产品：1.4m2, 超过1