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数字集成电路VLSI Digital CircuitsFall 2011 Lecture 03: MOS 器件原理 刘威 ( wliu@whu.edu.cn ) 回顾: 芯片设计考虑因数 芯片功能 成本 固定成本 – 设计 可变成本 – 工艺，组装，测试 可靠性 噪声容限 抗扰度 性能 速度（延迟） 功耗 上市时间 回顾: 设计层次 MOS 结构示意图 集成电路中，我们关心MOS管的两个参数 1：阈值电压 影响功耗，速度 影响抗噪声能力 影响 IV曲线 决定静态特性 2：MOS管的寄生电容 决定功耗，速度 决定动态特性 NMOS 截面示意图 NMOS 开关模型 PMOS开关模型 Threshold Voltage Concept 阈值电压概念 Threshold Voltage （阈值电压）参见《半导体器件物理》 Surface Potential at Inversion 反型时表面势 Threshold Voltage （阈值电压） 例题 0.13微米工艺中，p well 使用的载流子浓度为估算室温条件下发生强反型所需要的能带弯曲度（相对于平带情况）解： 例题：计算QB0 在0.13微米工艺中，p well 的掺杂浓度为NA=求耗尽区中包含的总电荷。 解：由公式： 例题 计算一个NMOS的零偏置(VSB=0)的阈值电压VT0。其中well掺杂浓度为NA= 珊氧化物厚度为tOX=22埃，二氧化硅表面带正电离子浓度是 功函数差-0.9V解：费米势： 氧化硅介电常数：单位面积氧化层电容：零偏阈值电压：  例题 上题中的阈值电压太低，抗干扰性能不强，目前的集成电路要求阈值电压为0.4V，现代集成电路工艺采用离子注入方式改变NMOS的阈值电压，问：注入离子浓度应为多少 解：离子注入改变了沟道的掺杂浓度NA 。假设所有注入的P型离子浓度为N，并且完全电离。则其改变的阈值电压为  Body Effect （体效应） 衬偏阈值电压 （参考《半导体器件物理》） VT = VT0 + ?(?|-2?F + VSB| - ?|-2?F|) The Body Effect 体效应 例子 例：一个PMOS晶体管的阈值电压为-0.4V，而体效应系数为-0.4。计算VSB=-2.5V，2φF=0.6V时的阈值电压。 实际工作中的应用： 以上的学习我们了解了阈值电压的原理和计算：1。在实际的工作中，我们通过调节离子注入量来对零偏阈值电压进行设计。从而得到VT02。在实际的电路中，通过计入体效应，来计算由于体效应导致的噪声容限的改变。 亚阈值电压 必须要注意的是，即使在阈值电压以下，依然会有IDS存在 Transistor in Linear Mode 线性工作区 线性模式的I-V关系 对于长沟道MOS (L 0.25 micron) When VDS ? VGS – VT ID = k’n W/L [(VGS – VT)VDS – VDS2/2] （参见《半导体器件物理》） where k’n = ?nCox = ?n?ox/tox 跨导 (?n 迁移率 (m2/Vsec)) kn = k’n W/L 增益系数 对于小 VDS, ID 随VDS 线性变化，因此称为线性工作区 电流 J=nev=neuE 电荷密度大的地方，电场弱，电荷密度小的地方，电场强。 Transistor in Saturation Mode 饱和模式 饱和模式下的I-V关系 对于长沟道器件 When VDS ? VGS – VT ID’ = k’n/2 W/L [(VGS – VT) 2] 饱和工作区，漏电流近似常数。 但是，导电沟道长度受到 VDS调制, 导致电流增加 ID = ID’ (1 + ?VDS) ? ： 沟道长度调制系数 电流决定因素 对于确定的 VDS 和 VGS ( VT), IDS 与以下参数有关 源漏沟道长度 – L 沟道宽度 – W 阈值电压– VT SiO2 厚度– tox (SiO2) 介电常数– ?ox 载流子迁移率 for n: ?n = 500 cm2/V-sec for p: ?p = 180 cm2/V-sec 长沟道 I-V 曲线 (NMOS) Short Channel Effects 短沟道效应 Velocity Saturation Effects(速度饱和效应) Short Channel I-V Plot (NMOS) 长沟道与短沟道比较 MOS ID-VGS Characteristics