电路基础 数字集成电路-3.pptVIP

8 数字集成电路 8.1 数字集成电路的分类 1、按集成度分 3、按工作环境分 8.2 CMOS逻辑门电路及其特点 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的 单元电路成为门电路。 8.2.1 CMOS反相器 8.2.2 其他类型的CMOS门电路 1、CMOS与非门 2、CMOS或非门 3、CMOS传输门 8.2.3 CMOS电路主要特点和使用中应注意的几个问题 1、主要特点 8.3 TTL逻辑门电路8.3.1 半导体器件的开关特性 1、二极管的开关特性 2、晶体管的开关特性 8.3.2 TTL与非门 1、电路组成及工作原理 2、电压传输特性 8.3.3 其他类型的TTL门电路 1、集电极开路的门电路 2、三态输出门电路 8.3.4 TTL门电路的主要电气指标 1、电压参数及抗干扰能力 2、电流参数及扇入系数扇出系数 3、平均传输延迟时间 4、输入特性 * 小规模集成电路（SSIC） 10～100元件/片 中规模集成电路（MSIC） 102～103元件/片 大规模集成电路（LSIC） 103～104元件/片 超大规模集成电路（VLSIC） 104元件/片 2、按有源器件分 双极型 晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路 发射极耦合逻辑（ECL）电路 集成注入逻辑（I2L）电路 单极型 PMOS电路 NMOS电路 CMOS电路 双极-单极型：Bi-CMOS电路 54系列：工作环境温度－55～125℃，电源电压范围4.5~5.5V。 74系列：工作环境温度0～70℃，电源电压范围4.75~5.75V。 4、按逻辑功能分 组合逻辑、时序逻辑、接口电路 在由5V电源供电的典型CMOS电路中， 逻辑0表示电压范围为0～1.5V， 逻辑1表示电压范围为3.5～5V。 （1）uI＝0V时，TN截止，TP导通。输出电压uO＝UDD＝10V。 （2）uI＝10V时，TN导通，TP截止。输出电压uO＝0V。 1、电路组成及工作原理 负载管 工作管 开启电压（又称门电压）UGS(th)P0，U(GS)N0 且UDD |UGS(th)P|+UGS(th)N。 2、电压传输特性 UOH ? UDD uo( V ) ui( V ) B C D A 2 10 8 6 4 2 10 8 6 4 O UOL ? 0 TN截止 TP在饱和区 TN在可变电阻区 TN、TP均在饱和区 TN在饱和区 TP在可变电阻区 TP截止 负载管并联 （并联开关） 工作管串联 （串联开关） ①A、B当中有一个或全为低电平时，TN1、TN2中有一个或全部截止，TP1、TP2中有一个或全部导通，输出Y为高电平。 ②只有当输入A、B全为高电平时，TN1和TN2才会都导通，TP1和TP2才会都截止，输出Y才会为低电平。 ①只要输入A、B当中有一个或全为高电平，TP1、TP2中有一个或全部截止，TN1、TN2中有一个或全部导通，输出Y为低电平。 ②只有当A、B全为低电平时，TP1和TP2才会都导通，TN1和TN2才会都截止，输出Y才会为高电平。 ①C＝0、 ，即C端为低电平（0V）、 端为高电平（＋UDD）时，TN和TP都不具备开启条件而截止，输入和输出之间相当于开关断开一样。 ②C＝1、 ，即C端为高电平（＋UDD）、 端为低电平（0V）时，TN和TP都具备了导通条件，输入和输出之间相当于开关接通一样，uo＝ui。 功耗极低(UDD＝5V，几微瓦)、电源电压范围宽(CC4000：3～18V)、 抗干扰能力强、逻辑摆幅大、输入电阻极高、扇出能力强、集成度 高温度稳定性好、抗辐射能力强、成本低。 2、注意的一个问题 注意输入端的静电防护、注意输入电路的过流保护、 注意电源电压极性、防止输出短路 Ui Uo s Ucc R S开 S闭 输出低电平 输入信号控制开关状态 输出高电平 二极管的伏安特性曲线 (1) 理想模型 (2) 恒压降模型 二极管的开关等效电路 (a) 导通时 (b) 截止时 iC ＋ uO － ＋ui － iB T Rc Rb UCC 截止状态等效电路 b c e UCES b c e UBES 饱和状态等效电路 晶体管结电压的典型数据 可靠截止 开始截止 截 止 放 大 饱 和 硅管(NPN)锗管(PNP) 工 作 状 态 管型 T1是输入级， T2是倒相级， T3 、 T4 是输出级。 输入端不全为 “1”的情况 3.6V 0.2V 0.9V ?5V T2、 T3截止， T4 、 D3 导通 设UIL=0.2V，UIH=3.6V uO =