1-3变频器中的开关器件.ppt

教学内容 1.开关器件的种类； 2.开关器件或组件的工作原理及特性； 教学目的 1. 了解变频器用开关器件的种类； 2. 了解各种开关器件工作原理及特性； 3. 了解变频器开关组件的使用方法。 重 点：变频器开关组件的使用方法 难 点：开关器件工作原理及特性 电 气 工 程 系 项目三 变频器中的开关器件 电 气 工 程 系 一、变频器开关器件种类 晶闸管（SCR） 门极可关断晶闸管（GTO） 电力晶体管（GTR） 电力场效应晶体管（MOSFET） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 集成门极换流晶闸管（IGCT） 智能功率模块（IPM）---组件 开关器件的种类 项目三 变频器中的开关器件 电 气 工 程 系 晶闸管 项目三 变频器中的开关器件 二、晶闸管 1.晶闸管外形、符号与特性（SCR） 电气符号 内部等效电路 伏安特性曲线 2. 通与关断条件:是极和阴极间承受正向电压时，在门极和阴极间也加正向电压。当阳极电流上升到掣住电流（使晶闸管由关断到导通的最小电流）后，门极电压信号即失去作用，若撤去门极信号，晶闸管可继续导通；使晶闸管阳极电流IA小于维持电流IH，管子会自然关断。维持电流IH是保持晶闸管导通的最小电流。 外形 电 气 工 程 系 项目三 变频器中的开关器件 晶闸管 2．优缺点：SCR属于电流控制型元件，其缺点是控制电路复杂、庞大，工作频率低，效率低等。SCR的优势在于电压、电流容量较大，目前仍广泛应用在可控整流和交-交变频等变流电路中。 电 气 工 程 系 门极可关断晶闸管 项目三 变频器中的开关器件 三、门极可关断晶闸管（GTO） 1．结构：GTO是一种多元功率集成器件，它是由十几个甚至数百个共阳极的小GTO元组成。小GTO元内部是PNPN四层半导体结构，它的三个引出极也分别为阳极A、阴极K、门极G。 2．特性: 与SCR的特性相似。 3．导通与关断条件： 导通条件与SCR相同， 但关断时门极需要负脉冲。 4．优缺点：GTO属于电流控制型元件，其缺点是驱动功率大，驱动电路复杂；关断控制易失败，工作频率不够高，一般在10KHz以下。它的优势在于电压、电流容量较大，目前其电压可达到6000V、电流可达到6000A，多应用于大功率高压变频器。 电 气 工 程 系 电力晶体管 项目三 变频器中的开关器件 四、电力晶体管（GTR或BJT） 1．结构：单管GTR结构与普通的双极结型晶体管类似,变频器用的GTR一般是GTR模块，它是将两只或四只、六只甚至七只单管GTR或达林顿式GTR的管芯封装在一个管壳内，这样的结构是为了耐高压、大电流，开关特性好。 符号 单管模块 两单元模块 电 气 工 程 系 电力晶体管 项目三 变频器中的开关器件 2.导通原理:和普通晶体管一样，是一种电流放大器件，有三种基本工作状态，即截止、放大、饱和。在变频电路中，GTR作为开关器件，只工作在截止（关）和饱和（开）两种状态，不允许工作在放大状态，否则管子的功耗将增大数百倍，使管子过热损坏。 3．优缺点：工作频率较低，一般在5~10KHz。因属于电流驱动型器件，其驱动功率大，驱动电路复杂，而且GTR耐冲击能力差，易受二次击穿损坏。目前GTR的应用一般被绝缘栅双极晶体管（IGBT）所替代。 电 气 工 程 系 MOSFET电路符号 项目三 变频器中的开关器件 五、电力场效应晶体管（MOSFET） 1．结构：电力场效应晶体管（MOSFET）的三个引出极为：源极S、漏极D、栅极G。变频器使用的电力场效应晶体管一般是N沟道增强型，其电气图形符号如图所示。 电力场效应晶体管 电 气 工 程 系 项目三 变频器中的开关器件 2．导通原理：栅极电压uGS控制漏极电流iD： 当0﹤uGS≤UGS(th)（开启电压）时，管子截止，无iD； 当uGS﹥UGS(th) ，uDS加正压，管子导通，； uDS越大则iD越大，在相同的uDS下，uGS越大，iD越大； uGS与iD的关系称为电力场效应晶体管(Power MOSFET)转移特性。 3．优缺点：MOSFET属于电压驱动型器件，输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单；开关速度快，开关频率可达500KHz以上。缺点是电流容量小，耐压低。 电力场效应晶体管 电 气 工 程 系 项目三 变频器中的开关器件 六、绝缘栅双极晶