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AMD 的性能指标 AMD处理器的PR值： AMD 处理器PR值的计算公式 [T A/B 266MHz FSB] PR值=(3*实际频率)/2-500; [Barton 333MHz FSB] PR值=(3*实际频率)/2-Ⅹ; [Barton 400MHz FSB] PR值=(3*实际频率)/2-100; [Athlon 64 800MHz HyperTransoprt] PR值=(3*实际频率)/2+400 [Athlon 64 1GHz HyperTransoprt] PR值=(3*实际频率)/2+200 例1:TB核心的XP1800+ (3*1533MHZ)/2-500=1799.5≈1800 例2:Barton核心的XP2500+ (3*1833MHZ)/2-250=2499.5≈2500 例3:Newstale核心的A64 3800+ (3*2400MHZ)/2+200=3800  第3章CPU 3.2.5 CPU缓存 集成电路设计技术以及制造工艺的发展使得CPU运算速度飞速提高，计算机发展的瓶颈是CPU与主存之间数据交换的速度（CPU要频繁的从主存读取指令或数据，并写入数据）。即使外频随着技术发展已经达到一定的速度，主存的工作频率不断提升，并有倍频调节使CPU和总线工作在不同的频率上。但是这种差异仍制约了计算机处理能力的发展，为了解决这一问题，在CPU内部设置缓存，驻留常用程序和数据，减少数据交换量。 第3章CPU CPU缓存分为一级 二级缓存和三级缓存 一级缓存 ，即L1 Cache。集成在CPU内部中，用于CPU在处理数据过程中数据的暂时保存。由于缓存指令和数据与CPU同频工作，L1级高速缓存缓存的容量越大，存储信息越多，可减少CPU与内存之间的数据交换次数，提高CPU的运算效率。一般L1缓存的容量通常在32—256KB。 二级缓存，即L2 Cache。由于L1级高速缓存容量的限制，为了再次提高CPU的运算速度，在CPU外部放置一高速存储器，即二级缓存。工作主频比较灵活，可与CPU同频，也可不同。CPU在读取数据时，先在L1中寻找，再从L2寻找，然后是内存，在后是外存储器。现在普通台式机CPU的L2缓存一般为128KB到2MB或者更高，笔记本、服务器和工作站上用CPU的L2高速缓存最高可达８MB。 第3章CPU L3 Cache(三级缓存)，分为两种，早期的是外置，现在的都是内置的。而它的实际作用即是，L3缓存的应用可以进一步降低内存延迟，同时提升大数据量计算时处理器的性能。降低内存延迟和提升大数据量计算能力对游戏都很有帮助。而在服务器领域增加L3缓存在性能方面仍然有显著的提升。比方具有较大L3缓存的配置利用物理内存会更有效，故它比较慢的磁盘I/O子系统可以处理更多的数据请求。具有较大L3缓存的处理器提供更有效的文件系统缓存行为及较短消息和处理器队列长度。 AMD的K10架构集成共享L3缓存 第3章CPU 3.2.6 制造工艺? 制造工艺的数值是指芯片内各个晶体管之间连接的 导线的宽度。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方 向发展。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大 小面积的IC中，可以拥有功能更复杂的电路设计。 芯片制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微 米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、 90纳米，65纳米，45纳米芯片制造工艺将是 下一代CPU的发展目标 第3章CPU 3.2.7核心电压? CPU的工作电压（Supply?Voltage），即CPU正常工 作所需的电压。CPU的工作电压分为两个方面， CPU的核心电压与I/O电压。核心电压即驱动CPU核 心芯片的电压，I/O电压则指驱动I/O电路的电压。 通常CPU的核心电压小于或等于I/O电压。目前台式 机用CPU核电压通常为2V以内，笔记本专用CPU的 工作电压相对更低。现在的CPU会通过特殊的电压 ID（VID）引脚来指示主板中嵌入的电压调节器自动 设置正确的电压级别。 第3章CPU 提高工作电压，可以加强CPU内部信号，增加CPU的稳定性能。但会导致CPU的发热问题，CPU发热将改变CPU的化学介质，降低CPU的寿命。 降低电压的前提是保证内部信号不减弱。早期CPU工作电压为5V，随着制造工艺与主频的提高，CPU的工作电压有着很大的变化，工作电压的降低解决了CPU发热过高的问题。 CPU 的电压演变历史 第3章CPU 3.2.8封装形式 　　 CPU封装是采用特定的材料将CPU芯片或CPU模块固化在其中以防损坏的保护措施，一般必须在封装后CPU才能交付用户使用。CPU的封装方式取决于CPU安装形式和器件集成设计，从大的分类来看通常采用Socke