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集成电路测量学 质量测量 膜厚 膜应力 折射率 掺杂浓度 台阶覆盖 电容－电压（C－V）测试 分析设备 TOF-SIMS：飞行时间二次离子质谱仪 AFM：原子力显微镜 XPS：X射线光电能谱仪 TEM：透射电子显微镜 EDX：能量弥散谱仪 FIB：聚焦离子束 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 * 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 * 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 * 集成电路测量学与缺陷检测 集成电路测量学使测量制造工艺的性能以确保达到质量规范标准的一种必要的方法。为了完成这种测量，需要样片、测量设备和分析数据的方法。 无图形的表面测试系统 在整个硅片生产工艺中有许多质量测量，说明了集成电路工艺测量学的广泛性。 通过电学测量，半导体质量测量定义了硅片制造的规范要求，以确保满足器件的性能和可靠性。 表中展示了主要的质量测量，包括每一步进行测量的工艺部分。 半导体制造商为使其产品在工艺的每一步都符合精确的要求，制定了特殊的质量测量规范。 由于硅片工艺是成膜工艺，在整个制造工艺中硅片表面有多种类型不同的膜。这些不同类型的膜有金属、绝缘体、光刻胶和多晶硅。 为生产可靠的管芯，这些薄膜的质量是高成品率制造工艺的基础。 膜的关键质量参数是它们的厚度。 膜厚测量可以划分为两个基本类型：它们或是测量不透明（遮光物，如金属）薄膜或是透明薄膜。 在一些情况下，例如栅氧化电介质，膜的厚度必须精确到1埃（?）或者更小来测试。 膜的其他质量参数包括表面粗糙度、反射率、密度以及针孔和空洞。 电阻率和薄层电阻（方块电阻）－ 估算导电膜厚度一种最实用的方法是测量方块电阻Rs。薄层电阻（Rs）可以理解为在硅片上正方形薄膜两端之间的电阻。它与薄膜的电阻率和厚度有关。方块电阻与正方形薄层的尺寸无关。测量方块电阻时，相同厚度等距离的两点间会得到相同的电阻。基于这一原因，Rs的单位为欧姆/□（Ω/□）。 方块电阻－（不透明薄层）间接用于测量淀积在绝缘衬底的不透明导电膜的厚度，例如金属、硅化物或半导体膜。只要薄层大且探针的间距小，方块电阻（Rs）就可由下式得到： 椭偏仪（透明薄膜）－ 椭偏仪是非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术，主要用于测透明的薄膜。椭偏仪的基本原理是用线性的偏振激光源，当光在样片中发生反射时，变成椭圆的偏振（见图）偏振光由通过一个平面的所有光线组成。椭偏仪测量反射得到的椭圆形，并根据已知的输入值（例如反射角）精确地确定薄膜的厚度。 反射光谱学－ 当光在一个物体表面反射时，结构的反射经常用于描述位于不吸收光的硅片衬底上的吸收光介质层的层厚特性（见图）。根据光是怎样在薄膜层顶部和底部反射的光学，反射仪能被用于计算膜厚。 X射线测薄膜厚度－ X射线束聚焦在表面，通过很少用到的X射线荧光技术（XRF）来测量膜厚。当X射线射到薄膜时，吸收的辐射激活薄膜中的电子。当受激电阻落入低的能态，发射出X射线光子（简称荧光），光子的能量代表薄膜原子的特性。通过测量这些X射线光子，就可以确定膜厚（见图）。 光声技术－ 根据入射光的声学节拍，它是产生指向复合薄膜的声学节拍。当声学节拍撞击表面及膜下界时，产生反弹回表面的回声。这种回声引起了反射率的轻微改变，该变化在硅片表面可被测得（见图）。反弹回的脉冲回声消耗的时间被用于计算薄膜厚度。 在通常的制造工艺中，薄膜上可能引入强的局部应力。造成衬底变形，并产生可靠性问题。通过分析由于薄膜淀积造成的衬底曲率半径变化来进行应力测量，并应用于包括金属、介质和聚合物在内的标准薄膜。在薄膜淀积前后，利用扫描激光束技术或分束激光技术测量硅片半径，以绘制硅片应力的剖面图（见图）。自动应力测试已有SMIF传送能力。 折射是透明物质的特性，它表明光通过透明物质的弯曲程度（见图）。折射率的改变表明薄层中有沾污，并造成厚度测量不正确。对于纯的二氧化硅折射率是1.46。对于薄层的折射率可以通过干涉和椭圆偏振技术来测量，与用于确定薄膜厚度的椭偏仪相同。 在硅的一些区域（如pn结、外延层、掺杂多晶硅）中杂质原子的分布情况直接影响到半导体器件的性能（见图）。现在的工艺使用杂质浓度界于1010个原子每平方厘米到大约1018个原子每平方厘米之间。有几种技术用于测量硅中杂质浓度或硅原子的剂量。 常用的在线方法是四探针法，最典型的应用是高掺杂浓度。 在线使用的还有热波系统，它可用于低剂量。 在生产线外的测量方面，具有整个硅片定位的二次离子质谱仪（SIMS）近来已被用作掺杂浓度工艺控制的替代方法。 电容－电压（C－V）特性测试也能用于测量掺杂浓度。 热波系统 －广泛用于检测离子注入剂量浓度，这种方法测量由于离子注入而在被注入的硅片