太阳能电池工艺43p.pptxVIP

常规太阳电池工艺简介;晶体硅太阳电池的基本工作原理;半导体光照后的变化; 3.必须有一个静电场。绝大部分太阳电池利用P-N结势垒区的静电场实现分离电子-空穴对的目的。 4.被分离的电子和空穴，经由电极收集输出到电池体外，形成电流。  ;;常规晶体硅太阳电池样品及 制造工艺步骤：;;晶体硅太阳电池制造的第一步 ——清洗制绒;; 多晶硅制绒后表面;制备绒面的目的： 减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提 高电池的光电转换效率。 陷光原理： 当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度 的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。 ;晶体硅太阳电池制造的第二步——PN结 PN结是晶体硅太阳电池的核心部分，没有PN结，便不能产生电流，也就不能成为太阳电池。有很多种方法制备太阳电池的PN结，比如三氯氧磷液态源扩散法，喷涂磷酸水溶液后链式扩散法，丝网印刷磷浆料后链式扩散法，而我们使用的是液态源热扩散法。 　　;;PN结的原理 在P型半导体和N型半导体结合后，在交界处就产生了电子和空穴的浓度差，N型区内的电子多而空穴很少，P型区内的空穴多而电子很少，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，有些电子要从N型区向P型区扩散， 也有空穴要从P型区向N型区扩散。 ; 电子和空穴带有相反的电荷，在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中的电中性被破坏。 P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构的关系，不能移动，称为空间电荷，集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这所谓的PN结。 ;　　　 在空间电荷区产生后，由于正负电荷的作用，在空间电荷区中形成一个电场，其方向从带正电的N区指向带负电的P区，该电场是由载流子扩散后在半导体内部形成的，故称为内电场。内电???的方向与电子的扩散方向相同，与空穴的扩散方向相反，它是阻止载流子的扩散运动的。 综上所述，PN结中存在着两种载流子的运动。一种是多子克服电场的阻力的扩散运动；另一种是少子在内电场的作用下产生的漂移运动。，只有当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度和 内建电场才能稳定。 两种运动产生的电流方向相反，因而在无外电场或其他因素激励时，PN结中无宏观电流。 ;POCl3磷扩散原理; 由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来 的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分 解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但 在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放 出氯气（Cl2）其反应式如下： 生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此 可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免 PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一 定流量的氧气 。; 在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应 生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻 璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 。;晶体硅太阳电池制造的第三步—— 等离子刻蚀 与 磷硅玻璃去除 由于扩散后电池的边缘会有N型杂质与P型基底形成PN结以及扩散的过程中在电池表面形成了一层很厚的磷硅玻璃层（PSG），因此需要等离子刻蚀将边缘的PN结去除，而磷硅玻璃则通过HF酸短时间浸泡来去除。;等离子体刻蚀原理;; 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种 中性基团或离子。 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表 面，并在表面上发生化学反应。 生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速 率。;磷硅玻璃的去除;;晶体硅太阳电池制造的第四步—— PECVD镀膜;制备SiN薄膜设备的分类;我们现在采用的是间接法平板型的PECVD 设备工作原理如下图：;制备氮化硅薄膜的作用与优点：