基于三维sip的高性能微处理器热能关键技术分析-thermal energy key technology analysis of high performance microprocessor based on three-dimensional sip.docxVIP

基于三维sip的高性能微处理器热能关键技术分析-thermal energy key technology analysis of high performance microprocessor based on three-dimensional sip.docx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
基于三维sip的高性能微处理器热能关键技术分析-thermal energy key technology analysis of high performance microprocessor based on three-dimensional sip

目录目录I2.2.2固体的热模型与热分析142.2.3液体的热模型与热分析182.3本章小结20第三章面向三维SiP的高性能微处理器的TSV热建模与热分析213.1三维SiP的TSV简介213.2面向三维SiP的高性能微处理器的TSV热建模与热分析223.33D-ICE模拟器的修改333.3.13D-ICE介绍333.3.2三维SiP的高性能微处理器的温度模拟333.3.33D-ICE模拟器修改363.4模型验证与讨论37第I页3.4.1模型验证373.4.2TSV结构热分析423.5本章小结47第四章基于三维SiP的高性能微处理器的温度管理494.1静态温度管理494.1.1微通道液体冷却的特点分析494.1.2平面布局504.1.3TSV布局504.1.4三维集成系统结构参数514.2动态温度管理514.2.1动态频率调节514.2.2动态流速调节514.3本章小结53第五章结束语555.1工作总结555.2研究展望55致谢57参考文献59作者在学期间取得的学术成果63第II页表目录表3.1内核平面布局的具体尺寸35表3.2缓存平面布局的具体尺寸35表3.3几何参数和热学参数35表3.4不同堆叠下芯片第一、二层的最高温度(K)35表3.5几何参数和热学参数(长度单位?m)38表3.6内核平面布局的具体尺寸(单位?m)39表3.7底层die上各个单元的温度平均值41表3.8内核的平均温度44表3.9不同数量的TSV下的平均温度45表3.10不同TSV大小下的平均温度46表4.1每一层的平均温度、最高温度、最低温度50图目录图1.1二维和三维集成电路的互连线对比1图2.1一阶热模型12图2.2紧凑热模型13图2.3三维堆叠结构14图2.4热传递中一个固体控制体14图2.5一个固体节点的等效电路16图2.6一个固体节点与相邻节点的关系图17图2.7热传递中流体的一个控制体18图2.8一个液体节点的等效电路20图3.1TSV的一般制造流程21图3.2TSV的形状及其俯视图22图3.3TSV与热模型节点的结构关系22图3.4长方形TSVnorth/south方向热导计算示意图23图3.5圆柱形TSV与节点的结构关系24图3.6半圆柱体的north/south方向热导计算示意图及其俯视图25图3.7圆柱形TSVnorth/south方向热导计算示意图26图3.8长方形TSV中心与节点中心不重合时热导计算示意图27图3.9半圆柱形中灰色区域热导计算示意图28图3.10圆柱形TSV中心与节点中心不重合时热导计算示意图29图3.11south方向热导计算示意图30图3.12考虑绝缘层的长方形TSV的一个节点俯视图31图3.13考虑绝缘层的圆柱形TSV俯视图32图3.14四内核的平面布局图34图3.15四缓存的平面布局图34图3.16验证实验采用的三维堆叠结构38图3.17热源层的平面布局图39图3.18采用3D-ICE模拟无TSV结构的三维堆叠得到的底层温度分布图40图3.19采用3D-ICE-TSV模拟具有TSV结构的三维堆叠得到的底层温度分布图40图3.20无TSV结构时底层的温度分布减去有TSV结构时的温度分布41图3.21TSV结构热分析平面布局图42图3.22不考虑TSV结构时的温度分布图43图3.23TSV阵列位于内核north方向时的温度分布图43图3.24TSV数量为10X10时的温度与无TSV时的温度间的温差图44图3.25图3.24的俯视图45图3.26平均温度与TSV数量的关系图46图3.27TSV大小与内核平均温度的关系46图4.1第一层的温度分布50图4.2功率不变的情况下温度与流速的关系53摘要经过40多年的发展,集成电路工艺发展到深亚微米和超深亚微米阶段,给高性能微处理器的发展带来了很多困难和挑战。二维集成技术的功耗问题、访存问题、片上互连问题,制约着高性能微处理器性能的进一步提高。三维SiP是一种新的集成电路封装技术。通过在垂直方向堆叠多层芯片,三维SiP可提高芯片的集成度,并有效地减少互连线长度,为设计高性能、高集成度的集成电路、多核/众核微处理器提供了有利条件,是未来集成电路重要的发展趋势。三维集成电路中,多层芯片的垂直堆叠在使芯片的功率密度急剧增加的同时,还减少了芯片的散热表面积。由于中间芯片无法连接散热器,高性能微处理器原本严重的温度问题在三维SiP中加剧,其性能和可靠性受到严重影响。因此在基于三维SiP的高性能微处理器中,温度管理至关重要。基于三维SiP的高性能微处理器的设计和温度管理很大程度取决于在芯片早期设计阶段的热分析的效果和温度的分布、变化规律模拟的准确性。因此研究和建立精确、高效的热模型是十分必要的。传统的空冷散热器已无法满足基于三维SiP的高性能微处理器的温度过高引入的散热需求。微通道液

您可能关注的文档

文档评论(0)

peili2018 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档