半导体物理基础(非平衡载流子)技术方案.pptVIP

Chapter 5 Nonequilibrium Carriers (非平衡载流子) ;5.1 nonequilibrium carriers G-R（非平衡载流子的产生与复合）;;光照引起的附加光电导：; n型半导体：Δn=Δp《 n0， p型半导体 Δn=Δp《 p0;5.3. 非平衡载流子的衰减 寿命;在小注入时，τ与ΔP无关，则;5.4. 非平衡载流子的复合机制;1. direct/band-to-band recombination（直接复合） ;;;;2 间接复合(indirect recombination);* 俘获电子 Electron capture;电子俘获(capture)率：;电子的净俘获率：; EF与Et重合时导带的平衡电子浓度。;同理，得;复合中心达到稳定时：;净复合率：;非平衡载流子的寿命为;小注入条件下;分析讨论:;(1)强n型区;(2)弱n型区;(3)弱p型区;(4)强p型区;;若Et靠近EC：俘获电子的能力增强; 大注入;3 其它复合;（2） 俄歇复合;（3） 陷阱效应;例题1;例2 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程有相同的几率。试求这种复合-产生中心的位置，并说明它能否成为有