电子技术课件-模电1 pn结及二极管.pptVIP

模拟电子技术配用教科书 《模拟电子技术简明教程》 元增民主编，清华大学出版社 课件策划 元增民2015年12月 长沙 浏阳河畔 人身体中的单向开关 心脏搏动动画网址： /151/PrjFile/huli/UploadFiles/Media/eManSys_0725194027.swf /Article/view/47441eManSys_0725194027.swf = 上帝赏赐给人类单向开关，人类也能制造出更多的单向开关！ 心脏的周期性收缩与舒张示意图 心脏中的四只单向开关：二尖瓣、三尖瓣、肺动脉瓣、主动脉瓣 心房是静脉的末端，心室是动脉的起端。泵血功能主要由心室的强力收缩来实现 1.1.1 半导体 1. 本征半导体、本征激发及载流子 2. 杂质半导体—N型半导体与P型半导体 1.1.2 pn结的扩散势及其内电场 1. 扩散势与pn结内电场及势垒的形成 2. 外加电压对pn结内电场的影响——单向导电性 1.1.3 pn结(二极管)及其数学模型 1.1.4 本征激发对器件的影响与掺杂浓度的确定 第1章 晶体管(1) 1.1 半导体pn结与晶体二极管数理模型 PPT1 作业: 思考题 1.1.5 硅二极管的正向压降名义值为0.7V，为什么实际分布在0.4V~0.8V宽范围上？ 本节要务 PN结单向导电性 1.二极管输入特性曲线—动态电阻 2.掺杂浓度对二极管正向压降的影响 3. 第1章 晶体管 通常原子核的体积只占整个原子体积的几千亿分之一，因此别说气体，即使固体内部也是十分敞空的。电子比原子核还要小得多。电子在原子之间的宽阔缝隙中不定向穿梭运动，物质不显电性；定向穿梭运动，就会输送电荷而导电。 固体内电子运动的客观条件 1.1 半导体PN结与晶体二极管 常用半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。 1.1.1 半导体 (a) 硅、锗晶体金刚石立体结构图 (b) 硅、锗晶体的平面表达 图1.1.1 本征半导体硅、锗的晶体结构 金刚石结构中，与任一个硅原子0.235nm等近的硅原子有四个，硅原子外层电子恰好也有四个，相邻硅原子的外层电子正好两两组成稳定的共价键结构，使硅材料的电导率很低。 1. 本征半导体、本征激发及本征载流子 本征激发 环境温度高于绝对零度(-273.15°C)时就有热激发。光照下有光激发。在热激发和光激发下，半导体中都会不断地出现自由电子，原地留下等量的空穴。把热激发和光激发统称为本征激发。 2. 杂质半导体—N型半导体与P型半导体 (1) 掺入杂质为三价元素或五价元素。 四价主体各掺入三、五价元素能形成特性互补的杂质半导体。 (2) 掺杂量适当，通常为亿分之一上下的掺杂。 (1) N型半导体 图1.1.3 (a) P型半导体的平面展开表示 (b) P型半导体的简化平面展开 图1.1.2 (a) N型半导体的平面展开表示 (b) N型半导体的简化平面展开 (2) P型半导体 红圈：硅原子实 黑圈：五价杂质 蓝点：共价键电子 红点：自由电子 图 例 红圈：硅原子实 黑圈：三价杂质 蓝点：共价键电子 小红圈：空穴 图 例 本征激发形成载流子，掺入三、五价杂质能形成更多的载流子 1.1.2 PN结自由电子扩散势、内电场及其单向导电性 表1.1.2 室温下硅pn结扩散势Ee (正向压降)及其温度系数 1. PN结内电场的形成及势垒与自由电子扩散势的平衡 重物下落受到重力作用，电子移动受到电动势作用。自由电子从N区移到P区所受电动势叫扩散势，符号Ee，其极性P正N负，其值与材料及掺杂有关，受温度影响。室温下硅pn结Ee及温度系数 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 -2.7 -3.1 -3.5 .94 .82 .70 .58 .46 .34 .22 Ee/V -5 -6 -7 -8 -9 -10 -11 lgNrel 亿分之一 图1.1.4 pn结及其内电场 N区自由电子跑到P区填充空穴，原地留下正离子，N区形成正电荷区，同时P区形成负电荷区。P区负电荷区与N区正电荷区组成pn结内电场。 扩散势Ee对电子扩散是动力，是常数，内建电势Ub是阻力，是变数。内电场越宽，Ub就越大。随着扩散，内电场越来越宽，Ub越来越大，最终Ub达到Ee而平衡 Ub=Ubf=Ee 自由电子扩散停止，自由pn结内电场最终形成。 (a) pn结刚刚形成，还没有内电场 (b) 电子正在从N区向P区扩散中 (c) Ub=Ee，电子停止扩散 2. 外加电