超级结MOSFET在LED电源中的应用V1.pdf

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2018-05-19 发布于天津
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超级结MOSFET在LED电源中的应用 Super Junction MOSFETs for LED Power Supply 陈桥梁西安龙腾新能源科技发展有限公司 • Single Stage Flyback中MOSFET雪崩情况分析 • 采用LLC resonant converter 中MOSFET特性评估抗雪崩能力雪崩电流IAR :下图ID峰值单次雪崩能量EAS ：一次性雪崩期间所能承受的能量，以Tch=150℃ 为极限重复雪崩能量EAR ：所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量，以Tch=150℃ 为极限抗雪崩能力测试电路 3 TJM–TC = PDM*ZθJC (t) Power MOSFET Cross Section Under Avalanche V =650V V =650V AV AV T =25℃ T =25℃ starting starting Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature For Various Drain Currents 700mA/32W LED PS Single stage Flyback Surge test 700mA/32W LED PS Single stage Flyback LSD11N70浪涌测试波形输入电压:230Vac/50Hz,输出：32W 通道1: MOS 漏源电压(黄色, 200V/每格); 通道2: Z2 母线电压(绿色, 200V/每格); 通道3:MOS 漏源电流(粉色, 5A/每格); Time: 5μs/每格漏源电压=820V 浪涌电压1400V/90º测试波形母线电压=883V 700mA/32W LED PS Single stage Flyback LSD11N70浪涌测试波形输入电压:230Vac/50Hz,输出：32W 通道1: MOS 漏源电压(黄色, 200V/每格); 通道2: Z2 母线电压(绿色, 200V/每格); 通道3:MOS 漏源电流(粉色, 5A/每格); Time: 5μs/每格漏源电压=848V 浪涌电压1400V/90º测试波形母线电压=801V 最大漏源电流=5.8A 700