[高等教育]第章 基本逻辑运算及集成逻辑门.ppt

图2?32 TTL→CMOS的接口 * 当UDDUCC时，上述方法不再适用。否则，会使V5截止(TTL输出UOH)时，所承受反压(约为UDD)超过其耐压极限而损坏。解决的方法之一是在TTL门和CMOS门之间插入一级OC门，图2?32(b)所示(OC门的输出管均采用高反压管，其耐压可高达30V以上)。另一种方法是采用专用于TTL门和CMOS门之间的电平移动器，如CC40109。它实际上是一个带电平偏移电路的CMOS门电路。它有两个供电端UCC和UDD。若把UCC端接TTL电源，把UDD端接CMOS电源，则它能接收TTL的输出电平，而向后级CMOS门输出合适的UIH和UIL。电路如图2?32(c)所示。 * (2)CMOS门的UOH≈UDD，UOL≈0V，满足TTL门对UIH和UIL的逻辑要求。但是当UDD太高时，有可能使TTL损坏。另外，虽然CMOS门的拉电流IOH近似等于灌电流IOL，但是因为TTL门的IISIIH，所以，当用CMOS门驱动TTL门时，将无法保证CMOS门输出符合规定的低电平。因为CMOS门输出UOL时，TTL门的IIS将灌入CMOS门输出端，使UOL升高。因此接口电路既要把输出高电平降低到TTL门所允许的范围内，又要对TTL门有足够大的驱动电流。具体实现方法如下： * 方法一：采用专用的CMOS→TTL电平转换器，如CC4049(六反相器)或CC4050(六缓冲器)。由于它们的输入保护电路特殊，因而允许输入电压高于电源电压UDD。例如，当UDD=5V时，其输入端所允许输入的最高电压为15V，而其输出电平在TTL的UIH和UIL允许范围内。电路如图2?33(a)所示。 方法二：采用CMOS漏极开路门(OD门)，如CC40107.当UDD=5V时，其IOL≥16mA，电路如图2?33(b)所示。 方法三：用分立三极管开关。电路如图2?33(c)所示。 方法四：将同一封装内的门电路并联应用，以加大驱动能力。 * 图2?33 CMOS→TTL的接口 * (3)TTL(CMOS)→大电流负载的接口 大电流负载通常对输入电平的要求很宽松，但要求有足够大的驱动电流。最常见的大电流负载有继电器、脉冲变压器、显示器、指示灯、可关断可控硅等。普通门电路很难驱动这类负载，常用方法有如下几种： 方法一：在普通门电路和大电流负载间，接入和普通门电路类型相同的功率门(也叫驱动门)。有些功率门的驱动电流可达几百毫安。 方法二：利用OC门或OD门(CMOS漏极开路门)做接口。把OC门或OD门的输入端与普通门的输出端相连，把大电流负载接在上拉电阻的位置上。 * 方法三：用分立三极管或MOS管做接口电路来实现电流扩展，为充分发挥前级门的潜力，应将拉电流负载变成灌电流负载，因为大多数逻辑门灌电流能力比拉电流能力强，例如TTL门74××系列IOH=0.4 mA，IOL=16 mA。 图2?34是一个用普通TTL门接入三极管来驱动大电流负载的电路。 * 图2?34 用三极管实现电流扩展 * 设负载的工作电流IC=200mA，三极管的β=20，则三极管的基极电流iB=10mA。 若不接R1、VD1、VD2，而把三极管的基极直接接TTL门输出端，则iB对TTL门构成拉电流，其值已远远超过TTL门拉电流的允许值，使其UOH大大降低，以致无法工作在开关状态，甚至会因超过允许功耗而损坏。 接入R1、VD1、VD2后，当TTL门输出UOH时，VD1截止，iB由+5V→R1→VD2的支路提供，对TTL门不产生影响。当TTL门输出UOL时，由+5V→R1→VD1的支路向TTL门灌入电流，只要R1取值合适，就可以使灌电流保持在TTL门所允许的范围内。 * 该电路的工作过程如下：当两个输入端之一为低电平时，TTL门输出UOH，VD1截止，直流电源+5V，经R1和VD2使三极管导通，负载进入工作状态。当两个输入端全是高电平时，TTL门输出UOL，使VD2和三极管均截止，负载停止工作。 若门电路是CMOS门，则应把双极性三极管换成MOS管。由于CMOS门的拉电流和灌电流基本相等，故R1、VD1、VD2应当去掉，但必须在门的输出端和MOS管的栅极间串接一个电阻，并且保留R２。 * (2)允许接到总线上的三态门的个数，原则上不受限制，但允许接到总线上的OC门个数受到上拉电阻RC取值条件的限制。 (3)OC门可以实现〝线与〞逻辑，而三态门则不能。若把多个三态门输出端并联在一起，