光纤通信原理第3章 节 光源与光发射机--36课时.ppt

第三章 光源与光发射机;目录;光发射机的作用：把电信号转换成光信号，并有效地把光信号耦合进入光纤传输;;3.1 半导体中的光发射;3.1 半导体中的光发射;光子与物质（电子）的相互作用;(a)、光的受激吸收;3-1-3;(b)、光的自发发射;(c)、光的受激发射;(d)、爱因斯坦关系;得：;书中例题3.1.1（p82）， 白炽灯发出光的成分;1、单色性好：激光发射的各个光子频率相同——最好的单色光源；2、 相干性好：受激辐射的光子在相位上是一致的，再加之谐振腔的选模作用——最好的空间相干性光源；3、方向性好：激光束的发散角很小，几乎是一平行的光线，激光照射到月球上形成的光斑直径仅有1公里左右——方向性最好的光源；4、亮度高：激光的亮度可比普通光源高出1012－1019倍——最亮的光源。;结论1：热平衡时不可能产生受激发射为主的光发射，除非必须满足 N2 N1----粒子数反转（产生激光的必要条件1);3.1.2 半导体中的光发射;图3.1.1-1 半导体的能带结构;半导体中的导电粒子 导带电子与价带空穴，特性：均参与导电—载流子;热平衡时的载流子分布;非热平衡载流子分布;热平衡时半导体中载流子分布;直接带隙半导体与间接带隙半导体 A、效率；B、跃迁规则;结论： 半导体光源的光谱特性——均有一中心波长与一定的光谱宽度△?;本征半导体与掺杂半导体;本征半导体与掺杂半导体;载流子的运动与pn结的形成与特性;pn结能带图与单向导电特性;pn结能带图与单向导电特性;载流子的复合与发光;载流子的复合与发光;同质结（同质pn结） 形成pn结的两种材料相同（禁带宽度一样） 异质结及形成过程、特点 形成异质结的两种材料不相同（禁带宽度不一样） 异质结分类（按照异质结界面两侧半导体导电类型来分） n--P(或p—N)异型异质结 n—N(或p—P)同型异质结 宽带隙材料用大写英文字母表示， 窄带隙材料用小写英文字母表示。 带隙差产生载流子分布的差别 应用： 异质结在Ⅲ—Ⅴ族半导体的 光电子和微波器件中应用非 常广泛 ;半导体发光器件基本结构--双异质结（DH）结构5大优势;半导体发光器件基本结构--双异质结（DH）结构5大优势;异质结与化合物半导体;量子阱结构与材料;量子阱的能级与等效禁带宽度;发光程度的衡量---内量子效率;MOCVD薄层生长原理;反应室示意图;3.3 半导体激光器原理与结构;1、粒子数反转的实现—重掺杂与大的电流注入;2、FP腔与光反馈---纵向模式(纵模）;☆ 纵模的模式间隔— 相邻模式的间隔; 光轴方向（Z）;3、激光振荡的阈值条件;激光在腔内往返一周; ①粒子数反转产生增益，输入电流越大，增益越高； ②粒子数反转不在单能级间，而是能带间，故增益谱线有一定的宽度； ③同样注入条件下，量子阱材料的增益比体材料高，增益线宽更窄;☆FP-LD纵模选模机理及光谱曲线;LD如何获得单纵模工作？？;3.3.2 半导体激光器结构与发散角;FP-LD的横模：近场光功率分布;DFB-LD管芯;3.4 半导体激光器的工作特性;3.4.1 L-I-V特性曲线（P-I);光子寿命;微分量子效率;;图5.13 LD的P-I特性;☆ FP-LD的温度特性;3.4.2 模式特性与线宽;光谱线宽;3.4.3 调制特性;本征激光器小信号电路模型;3.4.27;☆直接调制的光谱特性;3.4.5 噪声特性; 噪声范围： FP-LD：-110~-130dB/Hz DFB-LD: -130~-160dB/Hz 如何减小RIN： 选用RIN小的LD（如折射率导引大大优于增益导引） 增加工作电流可以明显减少RIN 调制频率小于数百兆RIN平坦， 再提高会出现RIN的谐振峰 光纤反射将使RIN增大10~20dB，对RIN要求高的场合 必须使用光隔离器 ;3.4.6 半导体激光器的安全使用;3.6 光源与光纤的耦合;LD与单模光纤的耦合;光纤微透镜及耦合例子;常用半导体激光器指标;3.5 光发射机;3.5 光发射机;图3.5.2 半导体激光器（LD）的直接调制;3.5.3 LD驱动电路;直接调制时如何正确使用LD;驱动部分电路;图中的下拉电阻R必不可少，它在射随器输出与一个小于输出低电平VOL的电压之间，提供一个使射随器工作于放大区的直流偏置。很多工程师在设计ECL电路时会漏掉这个电阻，导致ECL输出电路无法工作 ;负反馈控制环路的工作流程：LD输出光功率↓→PIN输出电流↓→A1输出电压↓→Vp↓→A3输出电压↑→BG3基极电流↑→BG3集电极电流（即IB）↑→LD输出光功率↑;ATC（自动温度控制电路）;实际使用的LD驱动IC---MAX