电磁兼容课件_第6节_icefire屏蔽技术 知识.ppt

屏蔽技术; ①通过优化电路和结构方案的设计，将干扰源本身产生的电磁噪声强度降低到能接受的水平； ; ②通过各种干扰抑制技术，将干扰源与被干扰电路之间的耦合减弱到能接受的程度。; 屏蔽技术是达到上述两个目的，实现电磁干扰防护的最基本也是最重要的手段之一。; 按欲屏蔽的电磁场性质分类，屏蔽技术通常可分为三大类： 1、电场屏蔽(静电场屏蔽及低频交变电场屏蔽) 2、磁场屏蔽(直流磁场屏蔽和低频交流磁场屏蔽) 3、电磁场屏蔽(同时存在电场及磁场的高频辐射电磁场的屏蔽)。 ;一、屏蔽的基本原理; 我们首先来考察静电场的屏蔽问题。设有一导体A带正电，则邻近的导体B将感应带负电，这就是静电感应现象。; 众所周知，利用金属屏蔽体对电场可以起屏蔽作用，即可使导体A发出的电力线不能到达导体B。但必须注意，屏蔽体的屏蔽必须完善并良好接地，否则不起屏蔽作用。; 再考察交变电场情况，若导体A有一交变电压VN，此时电场将通过金属屏蔽体进行屏蔽，即可使电场局限在导体A与屏蔽体之间。但也必须注意，如屏蔽体屏蔽不完善，或接地不良,也不能起屏蔽作用，或屏蔽效果很差。; 因此，采用金属屏蔽体进行电场屏蔽应具备两个条件： 完善的屏蔽 良好接地;2、磁场屏蔽的基本原理 磁场屏蔽是为了消除或抑制由于磁场耦合引起的干扰。 ; 首先考察静磁场的情况。 不论是由电磁铁或是由直流线圈产生的磁场均在空间散布磁力线或磁通。磁力线所通过的路径称为磁路。磁力线主要集中在低磁阻的磁路通过。因此对磁场的屏蔽主要利用高磁导率的材料，如铁、镍钢、坡莫合金等。; 这些高强导率的材料具有很低的磁阻，这样，磁力线将“封闭”在屏蔽体内，起了磁屏蔽的作用。; 对于低频交变磁场，磁屏蔽的原理同静磁屏蔽一样，利用高磁导率材料作屏蔽体将磁场约束在屏蔽体材料内。 ; 磁场的屏蔽不同于电场的屏蔽，屏蔽体接地与否不影响磁屏蔽的效果，但磁屏蔽体对电场也起一定的屏蔽作用，因此一般也接地。 ; 为了获得好的磁屏蔽效果，必??保证磁路的畅通，即小的磁阻。因此，当屏蔽盒需要开狭缝时，狭缝不能切断磁路，即狭缝只能与磁通的方向一致，而不能与磁通的方向垂直，否则将影响磁屏蔽的效果。 ; 对于高频磁场，磁屏蔽则依据另一种原理。高频磁场会在屏蔽壳体表面感生涡流，从而产生反磁场来抵消穿过屏蔽体的原来的磁场，同时增强屏蔽体旁边的磁场，使磁力线绕行而过，当一金属板挡住高频磁场的磁力线时，磁力线将避开金属板绕行，这就起了磁屏蔽作用。;3、电磁场屏蔽的基本原理; 高频电磁屏蔽的原理主要依据电磁波到达金属屏蔽体时产生的反射及吸收作用。 电磁波到达屏蔽体表面时产生的能量反射主要是由于介质(空气)与金属的波阻抗不一致引起的，二者相差愈大，由反射引起的损耗也愈大，而反射和频率有关，频率愈低反射愈严重。; 电磁波在穿透屏蔽体时的能量吸收损耗主要是由于涡流引起的。涡流一方面产生反磁场来抵消原干扰磁场，同时产生热损耗，因此，频率越高，屏蔽体越厚，涡流损耗也越大。;电磁屏蔽的原理可以下图表示; 若入射之干扰电磁场的幅度为Ei，当干扰电磁场到达屏蔽体A面时产生反射波R1 ,其余的能量进入屏蔽体后随厚度而衰减，当到达屏蔽体B面时又产生反射波R2，然后穿透出屏蔽体，其幅度为E0。;二、理想屏蔽体屏蔽效能的计算;(1)屏蔽系数ηs 屏蔽系数ηs 系指被干扰的导体(或电路)在加屏蔽后的感应电压Us与没加屏蔽时的感应电压Uo之比。 即： 显然，ηs越小，屏蔽效果越好。;(2)透射系数T(Transmission) 透射系数T 是指加屏蔽后某一点测量的场强（Es，Hs）与同一测量点没加屏蔽时的场强（E0，H0）之比。 对电场： 对磁场： 显然，T越小，屏蔽效果越好。;(3)屏蔽效能SE (Shielding Effectiveness) 屏蔽效能SE系指某一点测量没加屏蔽时的场强（E0，H0）与加屏蔽后同一测量点的场强（Es，Hs）之比，以dB为单位。 对电场： 对磁场： 显然，SE越大，屏蔽效果越好。; 屏蔽效能有时也称屏蔽损耗(衰减)，特别在单独考虑吸收或反射屏蔽效能时常用吸收损耗A和反射损耗R来表示。屏蔽效能SE或屏蔽损耗(A,R)越大，表示屏蔽效果越好。