厚膜基础.pptxVIP

主要内容厚膜基片材料流延工艺厚膜导体材料厚膜混合微电路是依赖于材料的一种电子元器件封装方法，它是介于组装常规电子元器件的PCB板和单片集成电路之间的一种电路封装手段。厚膜混合电路中使用的电阻和导体膜层材料----由悬浮在有机结合剂中的颗粒状的金属、金属氧化物及玻璃粉末的混合物构成。介质浆料---由悬浮在有机结合剂中的诸如金属氧化物、半导体材料和玻璃粉材料这类绝缘材料的混合物构成。4.1 厚膜基片—无源材料（机械基底和绝缘作用）理想的厚膜基片： 稳定的物理特性、高的热导率、低的电导率及好的热稳定性（承受850℃高温和55℃低温的工作循环要求），成本低廉，易大量获得。重要参数：介质损耗离子迁移和空间电荷极化是陶瓷材料介质损耗的两大原因。4.1.1 基片材料厚膜材料通常用氧化铝、氧化铍、氧化镁、二氧化钍、氧化锆或这些材料的组合的陶瓷材料生产。陶瓷：与硅接近的匹配的热膨胀系数，较高的热导率，更好的尺寸稳定性，电气特性好。氧化铝：含4%-6%玻璃的氧化铝氧化铍：大功率应用领域，潜在的致癌和有毒物质氮化铝：新型陶瓷材料。滑石:介电常数低。特殊材料：在低碳钢基片上覆盖一层电子级釉料。难点：釉料是一种低碱含量的玻璃料，在高温中会产生问题。缺点：高频时有耦合到不锈钢基片上的电容。4.1.2 物理特性表面光洁度：电阻精度和印刷膜层的附着力依赖于此。定义：中心线平均值（CLA），意味着在波峰和波谷之间设定中心线，是在表面剖面曲线测量偏差的算术平均值。 CLA=（ A+B+C+D ）/LA、B、C、D代表中心上面或下面的面积，L是基片选定的长度。翘曲度或平坦度定义：在基片上从一端到另一端弯曲度的总合基片形状和通孔加工4.1.3 基片制造干粉工艺：条件：基片厚度大于0.04in(0.1cm)P107 图4.3 制造工艺流程优点：允许制造长/宽比相对高的基片。流延工艺：基片厚度小于0.04in(0.1cm)流延成型的具体工艺过程1.将陶瓷粉末与分散剂、粘结剂和增塑剂在溶剂中混合，形成均匀稳定悬浮的浆料。2.成型时浆料从料斗下部流至基带之上，通过基带与刮刀的相对运动形成坯膜，坯膜的厚度由刮刀控制。3.将坯膜连同基带一起送入烘干室，溶剂蒸发，有机结合剂在陶瓷颗粒间形成网络结构，形成具有一定强度和柔韧性的坯片，干燥的坯片连同基带一起卷轴待用。4.在储存过程中使残留溶剂分布均匀，消除湿度梯度。然后可按所需形状切割、冲片或打孔。5.最后经过脱脂烧结得到成品。成型技术的比较成型方法成型用料成型自由度均匀性效率成本模压成型粉料2.5差中等低等静压粉料2.5中等中等中等注浆成型悬浮体2.5合理低低流延成型悬浮体1好高中等注射成型塑性料3好中等高流 延 成 型 工 艺流延成型（doctor-blading process)，又称带式浇铸法，刮刀法。定义及原理：首先把粉碎好的粉料与粘结剂、增塑剂、分散剂、溶剂混合制成具有一定黏度的料浆，料浆从料斗流下，被刮刀以一定厚度刮压涂敷在专用基带上，经干燥、固化后从上剥下成为生坯带的薄膜，然后根据成品的尺寸和形状需要对生坯带作冲切、层合等加工处理，制成待烧结的毛坯成品。特点：特别适合成型0.2MM--3MM厚度的片状陶瓷制品，生产此类产品具有速度快、自动化程度高、效率高、产品组织结构均匀、质量好等诸多优势。 缺点：粘结剂含量高，因而收缩率较大，高达20%~21%非水基流延成型工艺，即传统的流延工艺脱脂烧结水基流延成型工艺水基流延成型工艺使用水基溶剂替代有机溶剂，由于水分子是极性分子，而粘结剂、增塑剂和分散剂等是有机添加剂，与水分子之间存在相容性的问题，因此在添加剂的选择上，需选择水溶性或者能够在水中形成稳定乳浊液的有机物以确保得到均一稳定的浆料。同时还应在保证浆料稳定悬浮的前提下，使分散剂的用量尽量地少，同时在保证素坯强度和柔韧性的前提下使粘结剂、增塑剂等的有机物的用量尽可能少。 水基流延成型工艺优缺点水基流延成型具有价格低廉，无毒性，不易燃等优点，但也存在一些问题：a)蒸发速度低；b)所需的粘结剂浓度高；c)氢键引起陶瓷粉末团聚导致絮凝；d)浆料对工艺参数变化敏感，不易成型表面致密光滑的陶瓷膜；e)坯体结合不充分，干燥易起泡开裂，脆性大，易弯曲变形；f)缺陷引起应力集中，导致烧结开裂。目前，水基流延成型的研究主要应用于Al2O3， ZrO2等少数的氧化物陶瓷，对TiC也有研究。 凝胶流延成型工艺水基凝胶流延成型工艺是利用有机单体的聚合原理进行流延成型。优点:可以极大地降低浆料中有机物的使用量，提高浆料的固相含量，因而提高素坯的密度和强度，同时大大减轻环境污染，并显著降低生产成本。目前凝胶流延成型工艺已经应用于研制氧化铝陶瓷薄片及燃料电池YSZ等领域。料 浆 要 求由于流延法一般用于制造超薄型制品，因此坯料的细度、粒形要求比较高。粒度