低噪放大器设计.doc

实验报告 课程： 院系： 学生姓名：学号： 班级： 指导教师： 实验目的：低噪放大器设计 实验设备及要求：Term、StabFact、MaxGainDC_FET控件低噪声放大器的性能取决于有源器件的噪声特性和匹配网络的设计在理想的工作点下，在12GHz以下噪声系数为0.75 dB以下，是一款适用于工作在2~18 GHz的低噪声放大器所以本设计选择了此种。 晶体管的选择、下载与安装； 直流分析； 偏置电路设计；稳定性分析噪声系数圆和输入匹配；匹配网络的实现原理图仿真。设计主要性能指标 中心频率fo=5.8GHz带宽B=300MHz增益G=15dB噪声系数Nf小于等于3dB； Zin=Zo=50Ω。 图1.2 创建一个新的原理图，在原理图中放入ATF35176的模型和DA_FETBias控件子电路画出偏置原理图 图1.3 图1.4 图1.5 进行S参数的仿真，添加控件Term、StabFact、MaxGain同时，直流偏置信号不能传到两端的Term，需加隔直电容，【DC_Block】隔直电容代替。 图1.7 仿真结束后，显示MaxGain1和Stabfact1两个图表中观察，从图2.8可以看出，在5.8GHz时，最大增益为18.042dB稳定系数为K=0.646稳定系数K＜1，不稳定。 匹配网络的实现理想微带线，其参数只有特性阻抗、电长度和频率，需要换算成实际的标明物理长度的微带线，使用ADS自带的工具LineCalc，所有微带线的特征阻抗都是50Ω 图1.9 经过以上各部分的设计，将匹配网络添加到低噪放大电路中，得到完整的低噪放电路，进行仿真。 图2.1 实验结论： 本报告介绍了一种基于PHEMT管的低噪声放大器的设计过程，所设计的低噪放大器达到了预期指标。采用负反馈技术和稳定性措施满足了增益平坦度和绝对稳定性要求本次对低噪声放大器的设计，首先确定了晶体管的静态工作点，得到晶体管在直流偏置情况下的小信号电路的模型然后设计了一个在中心频率为5.8GHz满足指标要求的低噪声放大器。在6GHz时，当Vds=3V且Ids=20mA时，此时增益大约为16dB，能满足设计要求，那么晶体管的直流工作点就设为Vds=3V，ds=20mA。 1