纳米结构Ag-TCNQ电双稳薄膜的制备及分析.pdfVIP

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2018-06-07 发布于河南
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纳米结构Ag-TCNQ电双稳薄膜的制备及分析.pdf

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纳米结构Ag-TCNQ电双稳薄膜的制备及分析

真空电子技术研究与设计 !#$$% ’#()*+,#- 纳米结构!#$%’ 电双稳薄膜的制备及分析 ! 王伟军，张群，吉小松，严学俭，章壮健，华中一（复旦大学材料科学系，上海 ())*++） !#$%%’() %)* +)%,-.’. (/ 0,#1’1%, 2’.%3,# +456789 8%)(4%’) :’,;. ! ，，，，， ,!- ,./#012 34!- ’12 56 7/89#:92 ;! 71.#0/82 34!- 3182#0/82 4=! 392#/ （，，，） !# $%’( )* +$%,$-. /0,(0 123$( 4(,5%.,6 /7$(87$, ())*++ 97,($ +3.%1： ?@.ABC/A8@ D/:B8D@. !#$%’ B/2 E/@F: G/B 12/E9CF C8/2: /2 2829F.B.C :A8@. G.C. HC.H8C.I D J8A11F .J8H9C8B/92 82I H9:B#822.8@/2 /2 8BF9:H.C. K L:/A8@ 82I A.F/A8@ HC9H.CB/.: 9E B. E/@F: G.C. .J8@18B.I 82I /2J.:B/8B.I D 8 J8C/.B F.82: 9E J/:/D@. @/B BC82:F/::/92 :H.ABC8，，， 7MN !OP /F8.: O$#6M 82I 7LQ K 6B G8: E912I B8B H9:B#822.8@/2 29B 92@ F8R.: A9FH@.S8B/92 C.8AB/92 9AA1CC.I D.# ， BG..2 ! 82I $%’ D1B 8@:9 C.I1A.: B. C8/2 :/T. K O1CB.CF9C. B. BC82:/B/92 9E .@.ABC/A8@ D/:B8D@. /2 8 @9A8@ C./92 82I C.A9CI/2 I9B: 9E 2829F.B.C :A8@. 8J. D..2 C.8@/T.I D Q$P K ：；；； #-=(*. !#$%’ ?@.ABC/A8@ D/:B8D@. HC9H.CB 829C8/2 E/@F !22.8@/2 摘要：采用真空蒸发和大气环境下后热处理的方法制备了纳米量级颗粒均匀的!#$%’ 薄膜。通过可见光范围透射谱、射线衍射、原子力显微镜、傅里叶红外光谱以及光电子谱等分析研究了薄膜的物理和化学性质，发现热处理可促使 7 7 ! 和$%’ 发生充分的络合反应并减小薄膜的颗粒度，在此基础上利用Q$P 实现了局域电双稳态的转变和纳米存储点的写入。关键词： !#$%’；电双稳特性；纳米颗粒薄膜；热处理中图分类号：文献标识码：文章编号：（） U*V* K W ! W))(#VX+Y ())+ )(#)))+Z#)* 经过数十年的发展，，等传统无机材料制为了利用薄膜实现超高密度存储，需 Q/ -. P#$%’ 造的微电子器件即将达到极限尺寸。目前，各种