屏蔽电缆两端接地噪声抑制效果.doc

?7 从共模抑制比分析实验结果 为了帮助比较实验结果，计算电缆 B E F 和 G在四个源（a-d）的情况下的共模抑制比，以及3个试验情况下的共模抑制比。结果如图 5a-d所示。由于这些结果中包含了测量设备本身一定的共模抑制比，因此电缆本身产生的差模噪声更小一些。但这恰好说明了这里的数据能够代表现实中的共模抑制比。 为了计算电缆屏蔽与平行地导体结合的效果，计算了有平行地导体时的实验情况（实验装置ii），并与没有平行地导体的情况（实验装置i）进行了比较。 ? 图7a给出了分别用实验装置i)-iii).进行实验，源(a) 情况下的共模抑制比。在试验i)中，典型的屏蔽电阻为(0.5左右，当5A电流流过时，在负载端，屏蔽层与平衡导体之间产生约2.5V的共模电压。在试验ii)中，屏蔽层与平行地导体的并联电阻为(0.08左右，当5A电流流过时，屏蔽层与平衡导体之间产生约0.4V的共模电压。 ? 图5a 源a的电缆共模抑制比 图5a 中所示的共模抑制比通常比其他源端接(见图 5b-c)情况下所获得的共模抑制比低。这是因为在源端搭接屏蔽层时，会在负载端的屏蔽层与导体之间产生最大的共模电压，这个共模电压被音频测量设备的有限共模抑制比转换为差模噪声。 图5a-d 给出了在电缆F上，用特殊设计的仪器放大器（在50Hz处的共模抑制比为118dB，高于典型的专业音频设备）进行的几个额外试验。这些试验表现了10~23dB的共模抑制比提高。这说明，这些试验中所测量的是电缆和测量设备一起总的共模抑制，而不是电缆本身的共模抑制比。 ? 图5a表明，电缆两端端接时的共模抑制比与负载端没有端接的共模抑制比相同。但是，当增加了平行地导体后，共模抑制比改善了10~20dB。 ? 需要注意的是，故意做成平衡性较差的电缆(G)，在试验i)和试验ii)中，仅比其他种类的电缆稍差一点。这是因为源a)的阻抗很低，从而避免了较大的不平衡电容所产生的不良影响。 图5a中所示的电缆(G)比其他电缆表现出更好的性能可能是由于电缆的不平衡电容产生的差模噪声某种程度上抵消了测量设备的有限共模抑制比产生的差模噪声。 ? ?图5b 源b的电缆共模抑制比 图5b 是针对源 b)分别用实验装置 i)-iii)进行实验的共模抑制比结果。由于源是完全悬浮的，而负载具有一定的共模阻抗，屏蔽层与信号导体之间的大部分共模电压出现在源端，负载端的共模电压比源a)的情况下（图5a）的小得多。. ? 由于作用在负载端的测量设备上的共模电压较小(通常为20 - 400mV)，因此图5b 所示的共模抑制比普遍高于图5a所示的结果。屏蔽层两端端接的实验 (i)具有最差的共模抑制比。采用了平行地导体的实验(ii)比实验i)改善了13dB，而比实验iii)改善了3 dB和14dB。 ? ? ?图5c 源c的电缆共模抑制比 图5c 分析了悬浮的200? 差模源(c)的情况下的试验，这种情况模拟了典型的麦克风。由于源阻抗不是0，信号导体中的非平衡噪声电流在差模噪声注入的效应上比源a)或源b)的场合更强。有意做得平衡性较差的电缆G，不论是否有屏蔽电流，比其它电缆的表现差得多。 ? 电缆G的最坏结果是当屏蔽层在负载端没有端接的情况下得出的。当屏蔽层在两端端接时，特别是当有平行地导体时，电缆G的共模抑制比改善较大。这个结果说明，将质量很差的电缆屏蔽层两端接地能够改善共模噪声的抑制。 ? ? ?图5d 源d的电缆共模抑制比 图5d是悬浮75?差模的试验结果，这个结果介于图?b和图5c之间。特别是对于较差的电缆G的场合，这个特征更明显，而对于其它电缆，源的差模阻抗的影响并不是太明显。 ? 从图5a-d的结果，我们可以得出结论，将屏蔽层在两端搭接所得到的共模抑制比与通常的将屏蔽层仅在源端端接到机箱上的共模抑制比相同，但是平行地导体通常能够改善共模抑制比。 一些人可能会提出异议，上述的结果表明，由于两端接地情况下的音频性能可能不如通过谨慎的单端接地获得的性能好，因此两端接地可能并不是一个好的方法。但是，这是一个肤浅的认识，因为他忽略了电缆与实际系统之间的相互作用。 ? 实际的系统和装置对于他们的地电位差有一定的源阻抗，因此不是我们上面的实验室条件下的理想电压源或电流源。在实际系统中，将屏蔽层两端接地，或者安装平行地导体能够减小设备之间的地电位差，因此能够减小地线噪声的影响。对于实际的地环路，需要应用戴维宁等效源电压和阻抗的知识来预测屏蔽层两端接地是否能够提供较好的结果。关于这方面的内容，在第9节详细讨论，在那里将看到，对于实际的专业音响系统，将屏蔽层两端接地能够轻而易举地获得预期的高音响性能。 ? 8 Analysis of cable equivalent circuit ? 在上述详细的实验中获得的结果使我们能够描述一个