加速器用 bstmg2tio4mgo铁电复合材料研究-study on bst mg 2 tio 4 mgo ferroelectric composite for accelerator.docx

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在 文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。 本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□，在年解密后适用本授权书。 不保密□。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日摘要不同掺杂的铁电陶瓷 BST 复合材料，可以用来制备随外加电场变化而变化的微 波调谐器件，例如：调谐器、滤波器、移相器等。此外，近年来铁电体块材也用来 制备高功率移相设备的控制元件和直线对撞机的转换开关。在介质填充加速器结构 中，可以用铁电层来做控制元件。在这些设备中使用的陶瓷材料的介电性能要满足 一定的参数要求：相对低的介电常数(＜500)，在电场 2-5kV/mm 下的调谐率不低于 10%-20%，微波范围内有较低的介电损耗(＜0.005)。本论文系统地研究了 Ba/Sr 比、(Mg2TiO4+MgO)含量及 Mg2TiO4 与 MgO 比对复 合材料 BST/Mg2TiO4/MgO 的物相结构和低高频介电性能的影响。探讨了 La2O3， ZrO2，过渡金属氧化物 MnCO3 和 Co(NO)3?6H2O 及低熔点材料 CuO、Li2CO3 和 ZnO 掺杂对 BST/Mg2TiO4/MgO 结构及介电性能的影响。降低 Ba/Sr 比以及加入 MgO 可 以抑制 BST/Mg2TiO4 中杂质相 BaMg6Ti6O19 的产生。MnCO3、ZnO 和适量的 ZrO2 掺杂能提高 40Ba0.55Sr0.45TiO3/12Mg2TiO4/48MgO 的 调谐率和 Q×f 值。0.5mol%MnCO3 掺杂和 0.5wt%ZnO 掺杂的 40Ba0.55Sr0.45TiO3/ 12Mg2TiO4/48MgO 的复合陶瓷的综合性能较好，微波频率下的 Q×f 值分别为 387GHz 和 470GHz，在 10kHz，2kV/mm 电场强度下的调谐率分别为 12.5%和 11.7%。La2O3 掺杂的 40Ba0.55Sr0.45TiO3/12Mg2TiO4/48MgO 的复合陶瓷，La2O3 的掺杂含量高于 2wt% 后，调谐率随着外加电场强度的增加反常增加，调谐率为负值，继续增加 La2O3 含量， 调谐率的绝对值增加。Li2CO3 掺杂的 BST/Mg2TiO4/MgO 的复合陶瓷的烧结温度明显 降低，优化的烧结温度从 1370oC 降低到 1250oC。改变制备工艺对 ZrO2 掺杂的 40Ba0.55Sr0.45TiO3/12Mg2TiO4/48MgO 的复合陶瓷的性能没有明显的影响。本论文研究表明， MnCO3 、 ZnO 和适量的 ZrO2 掺杂能有效地提高 40Ba0.55Sr0.45TiO3/12Mg2TiO4/48MgO 的调谐率和 Q×f 值，是很有希望的微波调谐材料。 本论文由国家自然科学基金（项目批准号资助。关键词：BST 复合材料介电常数介电损耗调谐率微波性能AbstractFerroelectric ceramics of BST solid solutions with various additives are the basic ceramic materials to design microwave devices operated by the electric field, namely modulators, filters, phase shifters, and other. Moreover, an interest appeared recently towards the use of bulk ferroelectrics as control elements of high-power phase-shifters and switches for linear colliders. Ferroelectric layers can be also used as control elements for accelerating structures with dielectric load