1.5双极型半导体晶体管.pptVIP

晶体管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 　　　　　在放大区基本不变，在共发射极输出特性曲线上，通 过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求取IC / IB ，如图01.03.09 所示。在IC较小时和IC较大时， 会有所减小，在放大区的 中间部分直流电流放大系数因输出特性曲线平行等距， 基 本是常数。 在放大区? 值基本不 变，可在共射接法输出特 性曲线上，通过垂直于X 轴的直线求取?IC/?IB。见 图01.03.10，在工作点附近 求?IC和?IB，即可得到?。 1.5.5.3.1 集电极最大允许电流ICM 如图01.03.11所示，当集电极电流增加时，? 就要下降，当 ? 值下降到放大区? 值的70～30％时，所对应的集电极电流称 为集电极最大允许电流ICM。 集电极电流通过集电结时所产生的功耗 PCM= ICUCB≈ICUCE， 因发射结正偏， 呈低阻，所以功耗主 要集中在集电结上。 在计算时往往用UCE 取代UCB。 1.5.6 晶体管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 双极型晶体管的参数 图01.03.01 晶体管的两种结构 双极型晶体管的结构 NPN型 PNP型 这是基极b 这是发射极e 这是集电极c 这是发射结Je 这是集电结Jc IEN IEP ICBO IE IC IB IBN IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP + IBN - ICBO ICN 图01.03.02 晶体管中载流子的运动 发射极电流：IE= IEN+ IEP 且有IENIEP 集电极电流：IC=ICN+ ICBO ICN=IEN- IBN 且有IEN IBN ， ICNIBN 基极电流： IB=IEP+ IBN－ICBO 1.5.2.2 晶体管电极电流的关系 所以，发射极电流又可以写成 IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)=IC+IB IEN IEP ICBO IE IC IB IBN IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP + IBN - ICBO ICN 从三个电极看，流进去的电流等于流出来的电流。 三种组态 图01.03.03 晶体管的三种组态 IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO IEN IEP ICBO IE IC IB IBN ICN 因 ≈1, 所以 1 。 IEN IEP ICBO IE IC IB IBN ICN 图01.03.04 共发射极接法的电压-电流关系 ① ② ③ 图01.03.05 共射接法输入特性曲线 1.5.5.1.1 直流电流放大系数 1.5.5.1 直流参数 对共射组态的直流电流放大系数，输出电流是集电极电流ICQ，输入电流是基极电流IBQ，二电流之比可定义： 1.5.5 晶体管的参数 1.5.5.1.1.1 共发射极组态直流电流放大系数 图01.03.10 在输出特性曲线上求β 1.5.5.2 交流参数 1.5.5.2.1 交流电流放大系数 1.5.5.2.1.1 共发射极组态交流电流放大系数? Q 1.5.5.2.2 特征频率fT 晶体管的? 值不仅仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容等因素的影响，当信号频率增加时，晶体管的? 值将会下降。当? 下降到 1 时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 1.5.5.3 极限参数 图01.03.11