第4章1地线干扰与接地技术.pptVIP

* * * * * * 屏蔽电缆的效果与屏蔽层和电路的接地密切相关。特别是当外界干扰为磁场时，不同的连接方法效果大不相同。这组数据是在磁场中针对不同的接地结构试验获得的： 结构A：在信号线上套一个非磁性材料的屏蔽套，并且单点接地。对于磁场而言，当非磁性材料的屏蔽层单点接地时，信号回路中的磁场没有变化，因此磁场感应是相同的，即这种结构没有屏蔽效果。这种情况屏蔽效果定义为0dB，作为参考点。 结构B：将A中的屏蔽层两端接地。这时就能够提供一定的屏蔽效能了。因为由屏蔽层与地平面构成的环路中也感应了电流，这个电流产生了一个与原磁场相反的磁场，使信号回路中的磁场减弱，感应噪声减小。 结构C：双绞线本应提供较好的屏蔽效果（由于相邻绞节中感应的电流方向相反，相互抵消），但由于电路两端接地，实际的感应回路并不小，因此效果较差。 结构D：在双绞线上加了一个单端接地的屏蔽层，由于单端接地的屏蔽层对磁场没有屏蔽效果，因此并没有改善双绞线的屏蔽效能。 结构E：将屏蔽层两端接地后，同B一样，屏蔽层中的电流产生的反磁场削弱了原磁场，屏蔽效能有所提高。 说明：结构C是一种常见的错误，在实践中要避免。 * 结构F：电路只在单点接地，利用电缆的屏蔽层作为回流路径，大大减小了感应回路的面积，因此屏蔽效能大幅度提高。理想的同轴电缆回路面积为0，不会感应上任何噪声电压。实际同轴电缆的屏蔽效果取决于芯线与外层轴心的偏差。 结构G：双绞线由于具有很小的感应回路，并且相邻绞节中的感应电流对消，因此表现出较高的磁场屏蔽效果。实际的抑制效果比55更高，因为这里有些电场感应了进来。这从结构H可以看出。在结构H中，单端接地的屏蔽层抑制了电场感应，是屏蔽效果提高到70。 结构H：在G的基础上增加一个单端接地的屏蔽层，消除了（实验装置产生的附加）电场的影响。这里的屏蔽效果没有F高，是因为双绞线的回路面积没有同轴电缆的小。增加绞节密度可以进一步提高抑制效果。 结构I：将H中的屏蔽层两端接地后，导致屏蔽效能下降。这是因为屏蔽层两端接地后，在屏蔽层上产生了感应电流，这个电流在双绞线上感应出电流，由于电路不是平衡的，导致产生差模电压。 结构J：将H中的屏蔽层非接地的一端接到电路公共端，进一步提高了屏蔽效能，但没有达到F的水平，因为F中的电缆是同轴电缆，具有很小的感应回路。 问题：结构H的屏蔽效能比结构G提高了一些，这是因为单端接地的屏蔽层消除了实验装置产生的附加额外的电场，为什么结构D的屏蔽效能没有比结构C的屏蔽效能提高？ * 高频电缆屏蔽体的接地：采用多点接地 要求每隔0.1λ就接地一次；若用一小电容代替杂散电容，可以构成混合接地方式，改善电路性能 第60页/共72页 第61页/共72页 电场屏蔽：只要屏蔽层接地就能获得满意的效果 0V 电缆长度 ?/20，单点接地 电缆长度 ?/20，多点接地 第62页/共72页 第63页/共72页 第64页/共72页 但是这两种情况都不能两端接地，否则会因为电路不平衡产生差模噪声 第65页/共72页 抑制磁场干扰的试验数据 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (A) (B) (D) (E) (C) 0 27 13 13 28 1M 1M 100 100 第66页/共72页 抑制磁场干扰的实验数据 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (F) (G) (I) (J) (H) 80 55 70 63 77 1M 1M 100 100 第67页/共72页 接地位置不当造成的干扰 稳压电源 稳压电源 火灾 报警器 火灾 报警器 问题：某内含微处理器的设备需要通过在电源线上施加幅度为1500V的电快速脉冲的敏感度试验，结果当试验脉冲幅度达到700V左右时，发生死机现象。 第68页/共72页 问题：某内含微处理器的设备需要通过在电源线上施加幅度为1500V的电快速脉冲的敏感度试验，结果当试验脉冲幅度达到700V左右时，发生死机现象。 检查结果1： 设备的电源线入口处虽然安装了安装电源线滤波器，但滤波器安装方式不对（电源输入线过长、滤波器与金属机箱之间没有良好搭接）。 解决方法1：重新安装滤波器，使满足滤波器安装要求。 效果1： 稍微改善，但仍达不到要求。 第69页/共72页 检查结果2：滤波器插入损耗不足。 解决方法2：更换滤波器（原滤波器为单级，更换为两级滤波电路）。 效果2： 可以满足要求。 奇怪的现象： 此产品批量生产时，抽查发现，当试验电压为1000V以下时，又发生死机。 第70页/共72页 检查结果3： 经过与原机（通过试验的样机）对比，发现新设备除了电源输入变压器上比原机的电源变压器多了一根接地线外，其它完全一样。 解决方法3：断开电源变压器上的接地线。 效果2：