第14章二极管和晶体管1.ppt

饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 放 大 区 ⑴放大区（线性区） ⒉ 输出特性曲线 ②e结正偏、c结反偏。 截止区 14.5 晶体管 ① ，IC近似恒定。 ⑵截止区 ①IB=0的曲线以下的区域。 ③IC≈0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开。 ②e结与c结均反偏。 第30页/共40页 ⑶饱和区 14.5 晶体管 饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 放 大 区 截止区 ②e结与c结均正偏。 ③UCE≈0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通。 ①UCE UBE ， 。 可见，晶体管工作在放大状态，具有放大作用；工作在饱和状态或截止状态，具有开关作用。 第31页/共40页 静态电流(直流)放大系数： 动态电流(交流)放大系数： 当晶体管接成共发射极电路时，在静态（无输入信号）时，有 14.5.4 主要参数 14.5 晶体管 晶体管的参数可以表示晶体管的特性，也是设计电路、选用晶体管的依据。 ⒈ 电流放大系数 ， 在动态（有输入信号）时，有 第32页/共40页 14.5 晶体管 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 例：如图给出3DG100晶体管的输出特性曲线，⑴计算Q1点处的 ；⑵由Q1和Q2两点，计算 。 解： ⑴ ⑵ 和 的含义不同，但在输出特性曲线近于平行等距且ICEO较小的情况下，两者数值较为接近（ ）。 第33页/共40页 ⒉ 集-基极反向截止电流 ICBO ⒊ 集-射极反向截止电流ICEO （又称穿透电流） ICBO是当发射极开路时由于集电结处于反偏，集电区和基区中的少数载流子向对方运动所形成的电流。它受温度的影响大，其值越小越好。 ⒋ 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC 超过一定值时，晶体管的 ? 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流。 14.5 晶体管 ICEO是当基极开路、集电结处于反偏和发射结处于正偏时的集电极电流，其值越小越好。 第34页/共40页 ⒌ 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。 当UCE＞U(BR)CEO时，ICEO突然大幅度上升，说明晶体管已被击穿。 ⒍ 集电极最大允许耗散功耗PCM 当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，它主要受结温Tj的限制。 PCM =IC UCE 14.5 晶体管 第35页/共40页 以上所讨论的几个参数中： β和 ICBO(ICEO)是表明晶体管优劣的主要指标； ICM ，U(BR)CEO和PCM都是极限参数，用来说明晶体管的使用限制。 14.5 晶体管 IC UCE O ICM ICEO U(BR)CEO PCM 安全工作区 晶 体 管 的 安 全 工 作 区 由ICM， U(BR)CEO， PCM 三者共同确定晶体管的安全工作区。 第36页/共40页 14.6 光电器件 14.6.1 发光二极管 当在发光二极管(LED)上加正向电压并有足够大的正向电流时，就能发出清晰的光。这是由于电子与空穴复合而释放能量的结果。 符号 光的颜色视做成PN结的材料和发光的波长而定，而波长与材料的浓度有关。 发光二极管的工作电压为1.5~3V，工作电流为几毫安到十几毫安，寿命很长，一般作显示用。 第37页/共40页 14.6 光电器件 14.6.2 光电二极管 光电二极管是利用PN结的光敏特性，将接收到的光的变化转换为电流的变化。 光电二极管是在反向电压作用下工作的。 当无光照时，和普通二极管一样，其反向电流很小，称为暗电流。 当有光照时，产生的反向电流称为光电流。 照度E愈强，光电流也愈大。 光电流很小，一般只有几十微安，应用时须进行放大