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第3章 半导体器件模型 南京理工大学 第3章 半导体器件模型 线性元件与非线性元件：前者指支路特性方程为线性的元件，如电阻、电感、独立源和四种受控源等。后者指支路特性方程为非线性的元件，如半导体器件。 理想器件模型的两个要求：一、能正确反映元器件的电学特性，参数意义简明，易于提取；二、便于在计算机上计算。 建立器件模型的两种方法: (1) 建立在器件物理原理基础上的模型[如SPICE]。 必须知道器件的内部工作原理。 模型参数与物理机理密切相关，故参数适应范围较大；但参数的测定和计算通常比较麻烦。 第3章 半导体器件模型 (2) 根据输入、输出外特性来构成的模型(如IBIS) 只需了解电路的工作原理，不必了解具体器件的内部机理。 模型参数可通过直接测量而获得。缺点是：模型参数适用的工作范围窄，并且与测试条件有关。 半导体器件模型：大都以第一种建模方式，即以器件的物理机理为基础构造模型。 3.1 二极管模型 二极管符号和模型： 3.1 二极管模型 二极管电荷存储效应的等效电容及其组成 3.1 二极管模型 SPICE程序中二极管的14个模型参数： 1. SPICE程序中常温是27摄氏度。 2. 为了反映参数随环境温度的变化，SPICE程序给出了一些二极管参数（如IS，φd，CD等）的温度修正公式。 3.1 二极管模型 SPICE程序中二极管的描述语句： 用.MODEL语句描述器件模型参数，用.TEMP语句描述温度条件。 3.2 双极型晶体管模型 双极型晶体管：即普通的PNP或NPN型晶体管，由P和N两种材料构成，内部有两种载流子，故称为“双极”。 双极型晶体管（BJT）模型种类很多，但是在电路CAD领域中使用得最为普遍的是EM和GP模型。 EM模型：本身是一种大信号非线性直流模型，不考虑电荷存储效应和二阶效应。原始EM模型经过不断改进，目前已成为包括各种效应的较为完善的模型。 GP模型：包括主要的二阶效应，是一种数学推导上更加严格和完整的模型。 3.2 双极型晶体管模型 3.2.1 EM1模型 EM1模型及其特点 [1] 是Ebers 和Moll于1954年提出的一种简单的非线性直流模型; [2] 它不考虑器件中的电荷储存特性; [3] 适用于所有工作区域，即：饱和区、反向工作区、正向工作区和截至区； [4] 所有的直流和大信号非线性模型都是以EM1模型为基础； 3.2 双极型晶体管模型 EM1模型的分类 EM1模型主要有三种形式： * 注入型模型； * 传输型模型； * 混合π型模型； 1. 注入型模型 在一维小注入条件下，忽略晶体管基区宽度随UBC的变化，所得的晶体管电流-电压特性，称为注入型EM1模型。 IE= -IF+αRIR IC= αFIF - IR 3.2 双极型晶体管模型 2. 传输型模型 [1] 传输型模型的公式： 与注入型模型的差别仅仅在所选用的参考电流不同。 传输型模型的参考电流：IFC和IRC。可写成如下形式： IE=IRC-IFC/αF IC=IFC-IRC/αR 3.2 双极型晶体管模型 [3] 传输电流IFC和IRC描述的晶体管电流表示式： 3.2 双极型晶体管模型 [4] 传输型模型与注入型模型的异同 A. 从数学上看: 传输型模型和注入型模型是等价的，差别仅在于表示符号不同而不是模型形式不同。 B. 从实验观点看:传输型模型IRC-U，IFC-U变化的曲线在几个数量级范围内重合且保持线性，这是传输型模型优于注入型模型的关键所在。 3.2 双极型晶体管模型 3. 混合?模型 [1] 在传输型模型中，用集电极和发射极之间单一电流源代替两个等效电流源，即可得到非线性混合?模型。 3.2 双极型晶体管模型 [2]混合?模型中的电流源ICT为： 3.2 双极型晶体管模型 [4] SPICE 程序中双极型晶体管的混合?模型 NPN型管的四个特性区间 正向工作区：发射结正偏，集电结反偏； 反向区：发射结反偏，集电结正偏； 饱和区：发射结正偏，集电结正偏； 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 3.2 双极型晶体管模型 若是PNP管，则电压的极性和电流方向都应做相应的变化。 [5] 混合? EM1模型的三个模型参数： IS ，αF和αR 。 [6]混合?EM1模型优点：在交流小信号分析中很容易将混合?模型转变为小信号线性混合?模型。但是混合?模型中的两个二极管已经不再代表发射结和收集结二极管了，只表示晶体管基极电流中的两个分量而已。 3.2 双极型晶体管模型 4. EM1模型的特点： [1]形式上非常简单； [2] 十分精确的直流非线性模型； [3] 局限性：忽