第01章-1《半导体器件基础：二极管及其应用》.pptxVIP

模拟适用于理工科电子信息类专业电子技术基础设计/制作/主讲：谭诚臣第一章 半导体器件基础1.1 半导体与 PN结1.2 二极管及其应用1.3 三极管及其伏安特性1.4 晶体管检测与型号命名法光敏器件光电器件1.1 半导体与 PN结1.1.1半导体的特性物体分类导体：导电率为105s.cm-1，量级，如金属绝缘体：导电率为10-22-10-14 s.cm-1量级，如：塑料半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。 如：硅、锗、砷化镓等。? 半导体特性掺入杂质则导电率剧增且可控掺杂特性半导体器件热敏器件温度增加使导电率大为增加温度特性光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势光照特性+32+14SiGeSi+4+41.1.2 本征半导体完全纯净、结构完整的半导体晶体。纯度：99.9999999%，“九个9”它在物理结构上呈单晶体形态。本征半导体常用的本征半导体硅原子和锗原子的简化模型图＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋41.1.2 本征半导体实际上半导体的晶格结构是三维的晶格结构共价键结构 本征半导体原子核最外层的价电子都是4个，称为四价元素，它们排列成非常整齐的晶格结构。在本征半导体的晶格结构中，每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构。＋＋＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋41.1.2 本征半导体在游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有8个价电子。但价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。 受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，失掉电子的原子变成带正电荷的离子。由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。 1.1.2 本征半导体“本征激发” 动画演示＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋41.1.2 本征半导体受光照或温度上升影响，共价键中其它一些价电子直接跳进空穴，使失电子的原子重新恢复电中性。价电子填补空穴的现象称为复合。参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子载流子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空穴载流子运动。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋41.1.2 本征半导体 自由电子的运动可以形容为没有座位的人的移动；空穴的运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动。 半导体内部的这两种运动总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡。1.1.2 本征半导体— 自由电子和空穴1. 本征半导体中有两种载流子它们是成对出现的2. 在外电场的作用下，产生电流— 电子流和空穴流自由电子作定向运动形成的与外电场方向相反自由电子始终在导带内运动电子流价电子递补空穴形成的与外电场方向相同始终在价带内运动空穴流1.1.3 掺杂半导体掺入的三价元素如B、Al、In等，形成P型半导体，也称空穴型半导体杂质半导体掺入的五价元素如P、Se等，形成N型半导体，也称电子型半导体掺入杂质的本征半导体。掺杂后半导体的导电率大为提高+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1.3 掺杂半导体N型半导体：掺入的五价元素，如：P由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子+5杂质原子提供自由电子是多子+5由热激发形成空穴是少子+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1.3 掺杂半导体P型半导体：掺入的三价元素如B。因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。+3杂质原子提供空穴是多子+3由热激发形成自由电子是少子1.2 二极管及其应用1.2.1 PN结的形成1.2.2 PN结的单向导电性1.2.3 二极管的结构1.2.4 二极管的伏安特性1.2.5 二极管的主要参数1.2.6二极管的简单应用+++++－+－++－+－+－－－－－－－－－－+－++－－+++++－内电场++－－++－－++－－1.2.1 PN结的形成少子的漂移运动N 型半导体P 型半导体1、扩散运动 由于浓度不同，多子运动，形成内电场，阻碍了多子继续扩散。2、漂移运动 少子在内电场的作用下形成漂移运动。浓度差多子的扩散运动扩散的结果使空间电荷区变宽。形成空间电荷区3、扩散=漂移，动态平衡1.2.1 PN结的形成动画演示：V??1.2.1 PN结的形成?内电场的建立，使PN结中产生电位差。从而形成接触电位V?