(模拟电子技术知识基础)4.场效应管及其放大电路.pptx

4 场效应三极管及放大电路4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管4.2 MOSFET基本共源极放大电路4.3 图解分析法4.4 小信号模型分析法4.5 共漏极和共栅极放大电路4.6 集成电路单级MOSFET放大电路(*)4.7 多级放大电路4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路4.9 砷化镓金属-半导体场效应管(*)4.10 各种FET的特性及使用注意事项N沟道耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道N沟道JFETN沟道结型 Field EffectTransistorFETMOSFET(IGFET)场效应管绝缘栅型场效应管的分类：P沟道耗尽型P沟道（耗尽型）P沟道4 场效应三极管及放大电路4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管4.2 MOSFET基本共源极放大电路4.3 图解分析法4.4 小信号模型分析法4.5 共漏极和共栅极放大电路4.6 集成电路单级MOSFET放大电路(*)4.7 多级放大电路4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路4.9 砷化镓金属-半导体场效应管(*)4.10 各种FET的特性及使用注意事项1.1 N沟道增强型MOSFET1. 结构L ：沟道长度W ：沟道宽度tox ：绝缘层厚度通常 W L 符号1.1 N沟道增强型MOSFET1. 结构剖面图其中:D(Drain)为漏极,相当于c； G(Gate)为栅极，相当于b； S(Source)为源极,相当于e。1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（1）VGS对沟道的控制作用当VGS VTN 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 VGS越大，导电沟道越厚VTN 称为N沟道增强型MOSFET开启电压在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VTN后才会出现漏极电流，必须依靠栅极外加电压才能产生反型层的MOSFET称为增强型器件1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（2）VDS对沟道的控制作用当VGS一定（VGS VTN ）时，?沟道电位梯度?VDS??ID??靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小?沟道变薄整个沟道呈楔形分布1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（2）VDS对沟道的控制作用当VGS一定（VGS VTN ）时，?沟道电位梯度?VDS??ID? 当VDS增加到使VGD=VTN 时，在紧靠漏极处出现预夹断。在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VT1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（2）VDS对沟道的控制作用?夹断区延长预夹断后，VDS??沟道电阻??ID基本不变1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（3）VDS和VGS同时作用时 VDS一定，VGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。以上分析可知沟道中只有一种类型的载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 MOSFET的栅极是绝缘的，所以iG?0，输入电阻很高。MOSFET是电压控制电流器件（VCCS），iD受vGS控制。只有当vGSVTN时，增强型MOSFET的d、s间才能导通。预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。# 为什么MOSFET的输入电阻比BJT高得多？1.1 N沟道增强型MOSFET3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程① 截止区当vGS＜VTN时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。1.1 N沟道增强型MOSFET3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程② 可变电阻区 vDS （vGS－VTN）由于vDS较小，可近似为rdso是一个受vGS控制的可变电阻 本征电导因子1.1 N沟道增强型MOSFET3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程② 可变电阻区 其中?n ：反型层中电子迁移率Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容Kn为电导常数，单位：mA/V2是vGS＝2VTN时的iD 1.1 N沟道增强型MOSFET3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程③ 饱和区（恒流区又称放大区）vGS VT ，且vDS≥（vGS－VTN）V-I 特性： 必须让FET工作在饱和区（放大区）才有放大作用。ABCD1.1 N沟道增强型MOSFET3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（2）转移特性在饱和区，iD受vGS控制# 为什么不谈输入特性？1.2 N沟道耗尽型MOSFET1. 结构和工作原理二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流IDS